[发明专利]异质结III-V光伏电池制造

权利要求书

1.一种用于形成异质结III-V光伏(PV)电池的方法，所述方法包括：

执行基础层从III-V衬底的晶片的层转移，所述基础层的厚度小于约20微米；

在所述基础层上形成本征层；

在所述本征层上形成非晶硅层；以及

在所述非晶硅层上形成透明导电氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述层转移包括智能切割，并且其中所述智能切割包括：

在所述基础层之下的晶片中执行氢注入；以及

对所述晶片执行退火以在所述基础层之下引入断裂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述层转移包括外延层转移，以及其中所述外延层转移包括：

在所述基础层之下的晶片中形成牺牲层；以及

对所述牺牲层使用湿法化学蚀刻以从所述晶片上移除所述基础层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述层转移包括剥离，并且其中所述剥离包括：

在所述晶片上形成具有张应力的金属层；

将柔性衬底粘附到所述金属层；

使用所述金属层中的张应力在所述基础层之下的晶片中产生断裂；以及

从所述金属层上移除所述柔性衬底。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述金属层包括镍。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述柔性衬底包括曲率半径小于5米的材料。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在执行所述层转移之前，在所述晶片上形成背场，其中所述背场包括锌、铟中的至少一个，并且所述背场是从带有所述基础层的晶片转移来的层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶硅层包括与所述衬底的掺杂类型相反的掺杂类型，并且所述非晶硅层被配置成充当发射极。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述晶片上形成第二本征层，以及

在执行所述层转移之前在所述第二本征层上形成第二非晶硅层，其中所述第二本征层和所述第二非晶硅层是从带有所述基础层的晶片转移来的层。

10.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二非晶硅层包括与所述衬底的掺杂类型相同的掺杂类型，并且所述第二非晶硅层被配置成充当背场。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二非晶硅层包括与所述衬底的掺杂类型相反的掺杂类型，并且所述第二非晶硅层被配置成充当发射极。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片包括锗或砷化镓中的一个。

13.一种异质结III-V光伏(PV)电池，包括：

包括III-V衬底的基础层，所述基础层的厚度小于约20微米；

位于所述基础层上的本征层；

位于所述本征层上的非晶硅层；以及

位于所述非晶硅层上的透明导电氧化物层。

14.根据权利要求13所述的异质结III-V PV电池，还包括：

位于所述基础层下方的背场，其中所述背场包括锌、铟或铝中的至少一个。

15.根据权利要求13所述的异质结III-V PV电池，其中所述非晶硅层包括与所述衬底的掺杂类型相反的掺杂类型，并且所述非晶硅层被配置成充当发射极。

16.根据权利要求13所述的异质结III-V PV电池，还包括位于所述基础层下方的第二本征层，以及位于所述第二本征层下方的第二非晶硅层。

17.根据权利要求16所述的异质结III-V PV电池，其中所述第二非晶硅层包括与所述衬底的掺杂类型相同的掺杂类型，并且所述第二非晶硅层被配置成充当背场。

18.根据权利要求16所述的异质结III-V PV电池，其中所述第二非晶硅层包括与所述衬底的掺杂类型相反的掺杂类型，并且所述第二非晶硅层被配置成充当发射极。

19.根据权利要求13所述的异质结III-V PV电池，还包括位于所述基础层下方的金属层，所述金属层包括镍。

20.根据权利要求13所述的异质结III-V PV电池，其中III-V衬底包括锗或砷化镓中的一个。