[发明专利]使用分段预图案的定向自组装嵌段共聚物有效
申请号: | 201080021334.7 | 申请日: | 2010-04-23 |
公开(公告)号: | CN102428022A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | J.程;罗英惠;黎家辉;C.T.雷特纳;D.P.桑德斯;李伟健 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 分段 图案 定向 组装 共聚物 | ||
1.一种方法,包括:
提供表面中有开口的基底,该开口有边界,该边界包括凸面的、曲线轮廓的侧壁,该侧壁在它们邻接处限定突出部,该侧壁在该基底表面具有横截面,该横截面由各具小于100nm的平均曲率半径的各个区段构成;
在所述表面上施加包括嵌段共聚物的聚合物层,其中该共聚物的成分彼此不混溶;
让该聚合物在该开口内部形成多个分离、隔开的畴,其中:
(i)各个分离、隔开的畴的位置由至少一个侧壁及突出部预定,该突出部形成所述至少一个侧壁的至少一部分,及
(ii)所述畴具有各自的几何中心,且对任何给定的畴而言,其中心与该给定畴的最近邻者的中心的分开距离小于下述a)与b)的总和:a)为与预定该给定畴的位置的所述至少一个侧壁对应的区段的平均曲率半径(或该多个区段的平均曲率半径的平均值),b)为与预定该给定畴的最近邻者位置的所述至少一个侧壁对应的区段的平均曲率半径(或该多个区段的平均曲率半径的平均值)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中相邻畴的分离不同于在不包括该开口的拓朴平面基底(相同材料)上所实现的。
3.根据权利要求1所述的方法,其中3个或更多个相邻畴的相对位置不同于在不包括该开口的拓朴平面基底(相同材料)上所得到的。
4.根据权利要求1所述的方法,其中该各个区段包括圆弧。
5.根据权利要求1所述的方法,其中该侧壁基本上垂直于该表面。
6.根据权利要求1所述的方法,其中该各个区段具有不同的平均曲率半径。
7.根据权利要求1所述的方法,其中该各个区段选择为具有相同的曲率半径。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括:
除去至少一些分离、隔开的畴,从而产生孔;以及
将该孔转印至该基底。
9.根据权利要求8所述的方法,包括:用导电材料回填该基底中的孔以形成互连。
10.根据权利要求8所述的方法,其中该孔形成在抗蚀剂、硬掩模或抗反射涂层中。
11.根据权利要求1所述的方法,其中该嵌段共聚物选自聚(苯乙烯-b-乙烯基吡啶)、聚(苯乙烯-b-丁二烯)、聚(苯乙烯-b-异戊二烯)、聚(苯乙烯-b-甲基丙烯酸甲酯)、聚(苯乙烯-b-烯基芳香族)、聚(异戊二烯-b-环氧乙烷)、聚(苯乙烯-b-(乙烯-丙烯))、聚(环氧乙烷-b-己内酯)、聚(丁二烯-b-环氧乙烷)、聚(苯乙烯-b-(甲基)丙烯酸叔丁酯)、聚(甲基丙烯酸甲酯-b-甲基丙烯酸叔丁酯)、聚(环氧乙烷-b-环氧丙烷)、聚(苯乙烯-b-四氢呋喃)、及上述嵌段共聚物的组合。
12.根据权利要求1所述的方法,包括使用光刻法形成开口。
13.根据权利要求1所述的方法,其中由于退火工艺,该聚合物形成分离、隔开的畴。
14.一种方法,包括:
在基底中的开口上施加层,该开口具有边界,该边界至少部分由各种定向特征限定,该施加的层包括嵌段共聚物;以及
使该嵌段共聚物在该开口内形成多个分离、隔开的畴,其中各个分离、隔开的畴的位置由该特征的至少一个来确定。
15.根据权利要求14所述的方法,其中该定向特征包括在该开口的该边界中的突出部。
16.根据权利要求14所述的方法,其中形成至少四个分离、隔开的畴。
17.根据权利要求14所述的方法,其中该畴在没有该特征下将形成具有特定密度及特定周期性的阵列,但是由于存在该特征,该畴形成非以该特定密度及该特定周期性来为特征的图案。
18.根据权利要求17所述的方法,其中该畴具有大于所述特定密度的密度。
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