[发明专利]光电子器件

权利要求书

1.一种光电子器件，具有：半导体本体(1)，所述半导体本体具有外延层序列(2)，所述外延层序列带有适于产生辐射的有源层(4)；和支承体衬底(6)，所述支承体衬底借助焊接连接部(7)与半导体本体(1)连接，其中

-支承体衬底(6)具有第一穿通部(8a)和第二穿通部(8b)，第一导电连接层(9a)和第二导电连接层(9b)穿过这些穿通部从支承体衬底(6)的朝向半导体本体(1)的第一主面(11)引向支承体衬底(6)的背离半导体本体(1)的第二主面(12)，

-支承体衬底(6)具有半导体材料，

-支承体衬底(6)具有侧壁(10)，该侧壁至少在第一部分区域(10a)中倾斜于支承体衬底(6)的主面(11，12)延伸，并且

-侧壁(10)在第一部分区域(10a)中设有电绝缘层(13)。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中第一部分区域(10a)邻接支承体衬底(6)的第二主面(12)。

3.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中第一部分区域(10a)的高度在支承体衬底(6)的高度的10％和50％之间。

4.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中侧壁(10)的第一部分区域(10a)具有在10μm和100μm之间的高度。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中支承体衬底(6)是硅衬底。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中电绝缘层(13)包含氧化硅或氮化硅。

7.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中在第一部分区域(10a)中的支承体衬底(6)的侧壁(10)倾斜于支承体衬底(6)的主面(11，12)延伸，使得支承体衬底(6)的横截面朝第二主面(12)逐渐变细。

8.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中在第一部分区域(10a)中，侧壁(10)以相对于支承体衬底(6)的第二主面(12)的100°和135°之间的钝角α延伸，其中包括边界值。

9.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中侧壁(10)具有邻接支承体衬底(6)的第一主面(11)的第二部分区域(10b)，所述第二部分区域垂直于第一主面(11)地延伸。

10.根据权利要求9所述的光电子器件，其中侧壁(10)的第二部分区域(10b)不设有绝缘层。

11.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中支承体衬底(6)在第一主面或第二主面(11，12)上在导电连接层(9a，9b)之间具有掺杂区(14)用于构建保护二极管。

12.根据权利要求11所述的光电子器件，其中支承体衬底(16)是未掺杂的，并且掺杂区(14)具有p掺杂区域(14a)和n掺杂区域(14b)，其中第一导电连接层(9a)与掺杂区(14)的p掺杂区域(14a)导电连接连接，并且第二导电连接层(9b)与掺杂区(14)的n掺杂区域(14b)导电连接。

13.根据上述权利要求12所述的光电子器件，其中外延层序列(2)具有p掺杂的半导体区域(3)和n掺杂的半导体区域(5)，其中第一导电连接层(9a)与n掺杂的半导体区域(5)导电连接，并且第二导电连接层(9b)与p掺杂的半导体区域(3)导电连接。

14.根据权利要求11至13之一所述的光电子器件，其中掺杂区(14)设置在支承体衬底(6)的第一主面(11)上。

15.一种用于制造根据上述权利要求之一所述的光电子器件的方法，包括如下步骤：

-制造由多个半导体本体(1)和作用为支承体衬底(6)的半导体晶片构成的复合物，

-在支承体衬底(6)中产生侧壁(10)的第一部分区域(10a)，其中在第一部分区域中侧壁倾斜于支承体衬底(6)的主面(11，12)延伸，

-将电绝缘层(13)在第一部分区域(10a)中施加到侧壁(10)上，以及

-将半导体晶片分割成单个的光电子器件，其中在分割时形成侧壁(10)的第二区域(10b)，所述第二区域未设有电绝缘层。