[发明专利]光电子器件

说明书

本申请涉及一种光电子器件，其具有半导体本体和借助焊接连接部与半导体本体连接的支承体衬底。

本专利申请要求德国专利申请10 2009 032 486.0的优先权，其公开中容通过引用结合于此。

从出版物WO2008/131735中已知一种薄膜发光二极管芯片，其中将用于半导体本体的外延层序列的生长衬底从半导体本体剥离，并且半导体本体借助焊接连接部与支承体衬底连接，该支承体衬底不同于外延层序列的生长衬底。在该薄膜发光二极管芯片中，两个电接触部均设置在发光二极管芯片的背侧。

本发明的目的存在于，提供一种改进的光电子器件，其可表面安装并且例如可以在其下侧与电路板的印制导线连接，并且同时其特征在于相对于短路和/或静电放电(ESD-electrostatic discharge)的较小的敏感度。

该目的通过根据独立权利要求1所述的光电子器件来实现。本发明有利的实施形式和改进方案是从属权利要求的主题。

根据一个实施形式，光电子器件具有半导体本体，其具有外延层序列，该外延层序列带有适于产生辐射的有源层。此外，光电子器件具有支承体衬底，其借助焊接连接部与半导体本体连接。

支承体衬底有利地具有第一穿通部和第二穿通部。第一导电连接层穿过第一穿通部从支承体衬底的朝向半导体本体的第一主面引向支承体衬底的背离半导体本体的第二主面。此外，第二导电连接层穿过第二穿通部从支承体衬底的朝向半导体本体的第一主面引向支承体衬底的背离半导体本体的第二主面。

通过导电连接层从支承体衬底的第一主面引向支承体衬底的对置的第二主面的方式，光电子器件可以有利地在支承体衬底的第二主面上设有电端子，其中所述第一主面通过焊接连接部与半导体本体连接。特别地，在支承体衬底的第二主面上的光电子器件可以与电路板的印制导线连接，其方式为例如第一导电连接层借助焊接连接部与电路板的第一印制导线连接，并且第二导电连接层借助第二焊接连接部与电路板的第二印制导线连接。光电子器件于是有利地为可表面安装的。

光电子器件的支承体衬底有利地由尤其是硅的半导体材料构成。由半导体材料构成的支承体衬底相对于例如由陶瓷构成的支承体衬底具有下述优点，即可以相对简单地并且低成本地用标准化的半导体工艺来加工。

根据有利的扩展方案，支承体衬底具有侧壁，其至少在第一部分区域中倾斜于支承体衬底的主面延伸，其中在第一部分区域中侧壁设有电绝缘层。

通过支承体衬底的侧壁至少部分地设有电绝缘层的方式，降低了在第一导电连接层和第二导电连接层之间的短路的危险。然后，短路的危险尤其在如下情况下存在：第一导电连接层和第二到导电接层借助焊接连接部例如与电路板的印制导线连接。在这种情况下可能的是，焊剂在焊接过程中上升至支承体衬底的侧壁，使得在由半导体材料构成的支承体衬底的情况下，由于半导体材料的至少微弱的导电性会出现短路。该危险通过施加到侧壁的第一部分区域的电绝缘层来降低。

侧壁的电绝缘层施加到其上的第一部分区域优选邻接支承体衬底的第二主面。支承体衬底的与半导体本体对置的第二主面尤其可以设置用于将光电子器件安装到电路板上，使得在侧壁的邻接第二主面的区域中由于上升至侧壁的焊剂提高了短路的危险。因此有利的是：至少支承体衬底的侧壁的邻接第二主面的部分区域设有电绝缘层。

其中侧壁倾斜于支承体的主面延伸并且设有电绝缘层的第一部分区域的高度优选为支承体衬底高度的10％和50％之间，其中包括边界值。在此，倾斜延伸的侧壁的高度理解为侧壁在垂直于支承体衬底的主面的方向上的投影。侧壁的第一部分区域有利地具有在20μm和100μm之间的高度。例如，第一部分区域可以具有大约30μm的高度。

光电子器件的支承体衬底尤其可以是硅衬底。硅衬底具有下述优点，其是低成本的而可以相对简单地加工，例如在制造用于两个电连接层的穿通部时。

电绝缘层优选包含氧化硅或氮化硅，该电绝缘层尤其施加到侧壁的第一部分区域上。氧化硅层可以有利地通过热氧化在硅衬底上产生。此外，氧化硅层或氮化硅层还可以通过CVD(化学气相沉积)方法或通过旋涂技术施加到半导体衬底上。

在一个优选的实施形式中，在第一部分区域中支承体衬底的侧壁倾斜于支承体衬底的主面延伸，使得支承体衬底的横截面朝着第二主面逐渐变细。通过在第一部分区域中支承体衬底的侧壁倾斜地延伸的方式，使得在第一部分区域中侧壁的涂层变得容易。倾斜于第二主面延伸的侧壁尤其与如下情况相比可以更容易地涂层：侧壁分别垂直于第二主面延伸并且因此构建彼此背离的表面。