[发明专利]电容器以及电容器的制造方法无效
申请号: | 201080025206.X | 申请日: | 2010-06-08 |
公开(公告)号: | CN102804298A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 加贺田博司;凤桐将之 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01G4/18 | 分类号: | H01G4/18;H01G4/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 以及 制造 方法 | ||
1.一种电容器,具有:
由有机薄膜构成的基材;
设置在上述基材的上面的第1导电层;
设置在上述第1导电层的上面的第1电介质层;
设置在上述第1电介质层的上面的第2电介质层;和
设置在上述第2电介质层的上面的第2导电层,
上述第1电介质层由在上述第1导电层的上述上面铺满的多个金属氧化物片构成,
上述第2电介质层由在上述第2导电层的下面铺满的多个金属氧化物片构成。
2.根据权利要求1所述的电容器,其中,
上述基材的上述上面具有位于第1方向上的端部的第1导体非形成部,
上述第1导电层设置于除去第1导体非形成部的上述基材的上述上面的部分,
上述第2电介质层的上述上面具有位于与上述第1方向相反的第2方向上的端部的第2导体非形成部,
上述第2导电层设置于除去上述第2导体非形成部的上述第2电介质层的上述上面的部分,
上述第1导电层的上述上面具有位于上述第2方向上的端部的第1电介质非形成部,
上述第1电介质层设置于除去上述第1电介质非形成部的上述第1导电层的上述上面的部分。
3.根据权利要求2所述的电容器,其中,
上述第1电介质层设置于在上述第1方向上的端部除去上述第2电介质非形成部的上述基材的上述上面的部分。
4.一种电容器,具有:
基材;
设置于上述基材的上面的第1导电层;
设置于上述第1导电层的上面的第1电介质层;
设置于上述第1电介质层的上面的第2导电层;和
设置于上述第2导电层的上面的第2电介质层,
上述第1电介质层由在上述第1导电层的上述上面铺满的多个金属氧化物片构成,
上述第2电介质层由在上述第2导电层的上面铺满的多个金属氧化物片构成。
5.根据权利要求4所述的电容器,其中
上述第1电介质层的上述上面具有位于第1方向上的端部的第1导体非形成部,
上述第2电介质层的上述上面具有位于与上述第1方向相反的第2方向上的端部的第2导体非形成部,
上述第1导电层设置在除去上述第1导体非形成部的上述第1电介质层的上述上面的部分,
上述第2导电层设置在除去上述第2导体非形成部的上述第2电介质层的上述上面的部分,
上述第1导电层的上述上面具有位于上述第1方向和上述第2方向中的一个方向上的端部的电介质非形成部,
上述第2电介质层设置在除去上述电介质非形成部的上述第1导电层的上述上面的部分。
6.根据权利要求1或4所述的电容器,其中,
上述第1电介质层的厚度和上述第2电介质层的厚度为0.3nm以上50nm以下。
7.根据权利要求1或4所述的电容器,其中,
上述第1电介质层和上述第2电介质层的相对介电常数为30以上。
8.根据权利要求1或4所述的电容器,其中,
上述第1导电层和上述第2导电层中的至少一个导电层的一部分或者全部由导电性高分子构成。
9.根据权利要求1或4所述的电容器,其中,
上述第1导电层和上述第2导电层中的至少一个导电层的表面具有凹凸部。
10.根据权利要求9所述的电容器,其中,
上述第1导电层和上述第2导电层的硬度不同。
11.根据权利要求1或4所述的电容器,其中,
上述基材的表面具有凹凸部。
12.根据权利要求11所述的电容器,其中,
上述第1导电层和上述第2导电层的硬度不同。
13.根据权利要求1或4所述的电容器,其中,
还具有绝缘涂敷层,该绝缘涂敷层对上述基材的上面和下面中的至少一方的至少一部分进行覆盖。
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