[发明专利]电容器以及电容器的制造方法无效

专利信息
申请号: 201080025206.X 申请日: 2010-06-08
公开(公告)号: CN102804298A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 加贺田博司;凤桐将之 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01G4/18 分类号: H01G4/18;H01G4/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电容器 以及 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及能薄型化,并且结果能大容量化的电容器。

背景技术

图13为专利文件1中记载的现有的电容器900的截面图。电容器900为薄膜电容器,具有:具有柔软性的树脂薄膜即电介质层901;在电介质层901的上面被蒸镀形成的由铝等的导体构成的导电层902;设置在导电层902的上面,由具有柔软性的树脂薄膜构成的电介质层903;和在电介质层903的上面被蒸镀形成的由铝等的导体构成的导电层904。

导电层902的一端侧与端子905电连接,导电层902的另一端侧开放。与此相对,导电层904的一端侧开放,另一端侧与端子906电连接。

另外,端子905形成在现有的电容器900的一端侧,并且端子906形成在端子905的相反侧的另一端侧。而且,端子905、906不能以直流形式导通。

在电容器900的最上面设置最上面电介质层907,防止导电层904露出。但是,电容器900确保大的容量是困难的。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2000-124061号公报

发明内容

电容器具备:由有机薄膜构成的基材;在基材的上面设置的第1导电层;在第1导电层的上面设置的第1电介质层;在第1电介质层的上面设置的第2电介质层;和在第2电介质层的上面设置的第2导电层。第1电介质层由在第1导电层的上面铺满的多个金属氧化物片构成。第2电介质层由在第2导电层的下面铺满的多个金属氧化物片构成。

该电容器能确保大的容量。

附图说明

图1A为本发明的实施方式1相关的电容器的截面图。

图1B为实施方式1相关的电容器的电介质层的放大模式图。

图2为本发明的实施方式2相关的电容器的截面图。

图3为本发明的实施方式3相关的电容器的截面图。

图4为本发明的实施方式4相关的电容器的截面图。

图5为本发明的实施方式5相关的电容器的截面图。

图6为本发明的实施方式6相关的电容器的截面图。

图7为本发明的实施方式7相关的电容器的截面图。

图8为本发明的实施方式8相关的电容器的截面图。

图9为本发明的实施方式9相关的电容器的放大截面图。

图10A为实施方式9相关的其他电容器的放大截面图。

图10B为实施方式9相关的另一其他电容器的放大截面图。

图10C为实施方式9相关的另一其他电容器的放大截面图。

图11为本发明的实施方式10相关的电容器的放大截面图。

图12为实施方式10相关的其他电容器的放大截面图。

图13为现有的薄膜电容器的截面图。

具体实施方式

(实施方式1)

图1A为本发明的实施方式1相关的电容器1001的截面图。电容器1001具有电容器元件2001和端子5、6。电容器元件2001具有朝向方向1001C的侧面2001C和侧面2001C的相反侧的侧面2001D。侧面2001D朝向与方向1001C相反的方向1001D。端子5、6分别设置在电容器元件2001的侧面2001C、2001D。基材2的上面2A具有位于方向1001C上的端部的导体非形成部7。在除去导体非形成部7的基材2的上面2A的部分形成导电层3。在导电层3的上面3A形成电介质层4。在电介质层4的上面4A设置有电介质层104。基材102的下面102B具有位于方向1001D上的端部的导体非形成部107。在除去导体非形成部107的基材102的下面102B的部分形成有导电层103。在导电层103的下面103B形成有电介质层104。电介质层104的下面104B位于电介质层4的上面4A上。导电层103隔着电介质层4、104与导电层3相对置。导电层103、3与端子5、6分别连接。电介质层4、104的厚度为0.3~50.0nm,并且相对介电常数为30以上。基材2、102由有机薄膜等的绝缘材料构成。

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