[发明专利]电子装置的形成方法、电子装置、半导体装置以及晶体管

权利要求书

1.一种电子装置的形成方法，其特征在于，具有：

形成至少在表面含有Cu和Ca的导电性布线膜的工序；以及

在所述导电性布线膜的表面形成含有硅的绝缘层的工序，

所述导电性布线膜至少含有比50原子%多的Cu原子，含有相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计的原子数为0.3原子%以上的Ca原子。

2.如权利要求1所述的电子装置的形成方法，其特征在于，

在相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计原子数为5.0原子%以下的范围含有Ca原子。

3.如权利要求1或权利要求2的任意一项所述的电子装置的形成方法，其特征在于，

形成所述绝缘层的工序具有如下工序：引入硅烷类气体，利用CVD法在所述导电性布线膜上形成硅化合物。

4.一种电子装置，其特征在于，

具有：至少在表面含有Cu和Ca的导电性布线膜；含有硅并且形成在所述导电性布线膜的表面的绝缘层，

所述导电性布线膜至少含有比50原子%多的Cu，含有相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计原子数为0.3原子%以上的Ca原子。

5.一种半导体装置，其特征在于，

具有：至少在表面含有Cu和Ca的导电性布线膜；在所述导电性布线膜的表面形成的含有硅的绝缘层，

所述导电性布线膜至少含有比50原子%多的Cu，含有相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计原子数为0.3原子%以上的Ca。

6.一种晶体管，其特征在于，

具有：至少在表面含有Cu和Ca的导电性布线膜；在所述导电性布线膜的表面形成的含有硅的绝缘层，

所述导电性布线膜至少含有比50%原子多的Cu，含有相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计的原子数为0.3原子%以上的Ca。

7.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，

栅极电极膜由所述导电性布线膜形成，

与所述栅极电极膜接触的栅极绝缘膜由所述绝缘层形成。

8.如权利要求7所述的晶体管，其特征在于，

所述栅极绝缘膜是含有Si的原料气体与所述栅极电极膜接触而形成的。

9.如权利要求7或权利要求8的任意一项所述的晶体管，其特征在于，

具有源极区域、与所述源极区域隔开配置的漏极区域、位于所述源极区域与所述漏极区域之间的半导体区域，

所述栅极绝缘膜与所述半导体区域接触配置，

所述栅极电极膜与所述栅极绝缘膜接触配置，

利用对所述栅极电极膜施加电压而在所述半导体区域形成的电荷层，所述源极区域与所述漏极区域之间成为导通状态。

10.如权利要求9所述的晶体管，其特征在于，

源极电极膜和漏极电极膜由所述导电性布线膜形成，

与所述源极电极膜和所述漏极电极膜接触的绝缘膜或者层间绝缘膜由所述绝缘层形成。

11.如权利要求10所述的晶体管，其特征在于，

所述绝缘膜是含有Si的原料气体与所述源极电极膜和所述漏极电极膜接触而形成的。

12.如权利要求7或者权利要求8的任意一项所述的晶体管，其特征在于，

具有源极区域、与所述源极区域隔开配置的漏极区域、位于所述源极区域与所述漏极区域之间的半导体区域、与所述半导体区域接触配置的栅极绝缘膜、与所述栅极绝缘膜接触配置的栅极电极膜，利用对所述栅极电极膜施加电压而在所述半导体区域形成的电荷层，所述源极区域和所述漏极区域之间导通。