[发明专利]电子装置的形成方法、电子装置、半导体装置以及晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及电子装置、半导体装置以及晶体管，特别涉及液晶显示装置的导电性布线膜的低电阻化。

背景技术

以往，铝（Al）类布线被广泛应用于TFT（Thin film transistor：薄膜晶体管）面板，但是，最近伴随大型电视机的普及，TFT面板逐渐大型化，要求布线的低电阻化和面板的低成本化。因此，代替Al类布线而变更为更低电阻的Cu类布线的要求提高。

在将Cu类布线使用于TFT面板的情况下，存在与玻璃基板或基底膜的紧贴性差并且在与成为基底的Si层之间发生原子的扩散（阻挡性的劣化）等的问题。

一般地，在Al类布线中使用Mo类或Ti类的阻挡金属层，所以，如果为了防止由Mo膜或Ti膜构成的紧贴层剥离而在与玻璃基板或Si半导体接触的下层形成并在紧贴层上形成Cu层从而成为两层结构的导电性布线膜，则紧贴层为粘接层和阻挡层这二者，具有防止从玻璃基板剥离或防止从Si半导体或玻璃基板向Cu层的Si扩散的效果。

但是，在Cu类布线的情况下，即便在玻璃基板和Cu层之间或硅半导体和Cu层之间配置紧贴层，能够防止来自玻璃基板或硅半导体的Si的扩散，但是，产生如下问题：在紧贴层上形成Cu层等导电性布线膜后的工艺中，导电性布线膜的电阻率上升。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-070881；

专利文献2：日本特表2008-506040。

发明内容

发明要解决的课题

本发明的课题在于提供一种不使导电性布线膜的电阻率上升的技术。

用于解决课题的手段

本发明的发明人等发现当Cu层在高温下与在化学结构中具有Si的气体接触时，Si原子扩散到Cu层中，其结果是，Cu层的电阻率上升。

并且，发现为了防止Si的扩散，为了防止扩散，使Cu层中含有Ca即可，从而提出本发明。

并且，本发明的发明人等发现了能够有效防止Si扩散的Ca的在Cu层中的含有率。

基于这样的发现而提出的本发明提供一种电子装置的形成方法，其特征在于，具有形成至少在表面含有Cu和Ca的导电性布线膜的工序以及在所述导电性布线膜的表面形成含有硅的绝缘层的工序，所述导电性布线膜至少含有比50原子%多的Cu原子，含有相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计的原子数为0.3原子%以上的Ca原子。

此外，在本发明的电子装置的形成方法中，在相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计原子数为5.0原子%以下的范围含有Ca原子。

此外，在本发明的电子装置的形成方法中，形成所述绝缘层的工序具有如下工序：引入硅烷类气体，利用CVD法在所述导电性布线膜上形成硅化合物。

此外，本发明提供一种电子装置，具有至少在表面含有Cu和Ca的导电性布线膜以及含有硅并且形成在所述导电性布线膜的表面的绝缘层，所述导电性布线膜至少含有比50原子%多的Cu，含有相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计原子数为0.3原子%以上的Ca原子。

此外，在本发明提供一种半导体装置中，具有至少在表面含有Cu和Ca的导电性布线膜以及在所述导电性布线膜的表面形成的含有硅的绝缘层，所述导电性布线膜至少含有比50%原子多的Cu，含有相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计原子数为0.3原子%以上的Ca。

此外，本发明提供一种晶体管，具有至少在表面含有Cu和Ca的导电性布线膜以及在所述导电性布线膜的表面形成的含有硅的绝缘层，所述导电性布线膜至少含有比50%原子多的Cu，含有相对于Cu的原子数和Ca的原子数的总计的原子数为0.3原子%以上的Ca。

此外，在本发明的晶体管中，栅极电极膜由所述导电性布线膜形成，与所述栅极电极膜接触的栅极绝缘膜由所述绝缘层形成。

此外，在本发明的晶体管中，所述栅极绝缘膜是含有Si的原料气体与所述栅极电极膜接触而形成的。

此外，在本发明的晶体管中，具有源极区域、与所述源极区域隔开配置的漏极区域、位于所述源极区域与所述漏极区域之间的半导体区域，所述栅极绝缘膜与所述半导体区域接触配置，所述栅极电极膜与所述栅极绝缘膜接触配置，利用对所述栅极电极膜施加电压而在所述半导体区域形成的电荷层，所述源极区域与所述漏极区域之间成为导通状态。

此外，在本发明的晶体管中，源极电极膜和漏极电极膜由所述导电性布线膜形成，与所述源极电极膜和所述漏极电极膜接触的绝缘膜或者层间绝缘膜由所述绝缘层形成。