[发明专利]经阳极处理的喷头

权利要求书

1.一种气体分配喷头，包括：

喷头主体，该喷头主体具有多个延伸穿过该喷头主体的气体通道，该喷头主体具有中心部分与外侧部分，在该外侧部分上具有阳极处理的涂层。

2.如权利要求1所述的气体分配喷头，其中该外侧部分更包括：

凸缘部分，该凸缘部分具有适以在处理过程中面对基座的第一表面、与该第一表面相对的第二表面、及用于连接该第一表面与该第二表面的边缘表面，并且，其中：

该阳极处理的涂层被置于该喷头主体的凸缘部分上；

该阳极处理的涂层覆盖该边缘表面的至少一部分；

该阳极处理的涂层自第一位置处延伸，该第一位置与该喷头主体的中心相隔第一距离；

该阳极处理的涂层自第二位置处延伸，该第二位置与该喷头主体的中心相隔第二距离，该第二距离大于该第一距离；及

该阳极处理的涂层自该第一位置与该第二位置两者处延伸，以致该阳极处理的涂层覆盖该边缘表面的至少一部分。

3.如权利要求1所述的气体分配喷头，其中该喷头主体包括铝，其中，该阳极处理的涂层包括选自下列所构成的群组的材料：Al₂O₃、SiO₂、聚四氟乙烯与前述材料的组合，并且，其中，该阳极处理的涂层的厚度在约50微米与约63微米之间。

4.如权利要求1所述的气体分配喷头，其中该阳极处理的涂层包括选自下列所构成的群组的材料：Al₂O₃、SiO₂、聚四氟乙烯与前述材料的组合，并且，其中，该阳极处理的涂层的厚度在约50微米与约63微米之间。

5.如权利要求1所述的气体分配喷头，其中该中心部分上不存在该阳极处理的涂层。

6.一种等离子体处理设备，包括：

处理腔室主体，该处理腔室主体具有数个壁与一个底面；

基座，该基座被置于该处理腔室主体中，且该基座可移动于第一位置与第二位置之间；

一或多个带，该一或多个带耦接至该基座并耦接至该底面或壁中的一或多个；

喷头，该喷头被置于该处理腔室主体中并与该基座相对，且该喷头具有一或多个延伸穿过该喷头的气体通道，该喷头包括：

阳极处理的涂层，该阳极处理的涂层被置于该喷头邻近所述壁的那些部分上；及

遮蔽框架，该遮蔽框架被置于该处理腔室主体中且在该基座与该喷头之间，该遮蔽框架可移动于第三位置与第四位置之间，该第三位置与该基座有所间隔，而该第四位置接触该基座。

7.如权利要求6所述的设备，其中该遮蔽框架包括Al₂O₃。

8.如权利要求6所述的设备，其中该阳极处理的涂层包括选自下列所构成的群组的材料：Al₂O₃、SiO₂、聚四氟乙烯以及前述材料的组合，并且，其中，该喷头包括铝。

9.如权利要求6所述的设备，其中该阳极处理的涂层的厚度在约50微米与约63微米之间。

10.如权利要求6所述的设备，其中所述带是对称地沿着第一轴配置且不对称地沿着第二轴配置，该第二轴垂直于该第一轴。

11.一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括：

腔室主体，该腔室主体具有多个壁与一个腔室底面；

基座，该基座被置于该腔室主体中且可移动于第一位置与第二位置之间，该第一位置与该腔室底面相隔第一距离，而该第二位置与该腔室底面相隔第二距离，该第二距离大于该第一距离；

多个带，该多个带耦接至该基座并耦接至该腔室底面与多个壁中的一或多个，所述多个带是沿着该基座非均匀地分布的；及

气体分配喷头，该气体分配喷头被置于该腔室主体中且与该基座相对，该气体分配喷头具有多个延伸穿过该气体分配喷头的气体通道，且该气体分配喷头具有中心部分与边缘部分，该气体分配喷头包括：

阳极处理的涂层，该阳极处理的涂层被置于该喷头上且延伸于该气体分配喷头的表面上，该阳极处理的涂层在该边缘部分上的厚度大于该阳极处理的涂层在该中心部分上的厚度。