[发明专利]经阳极处理的喷头

说明书

技术领域

本文揭露的实施例大致关于具有阳极处理的气体分配喷头的设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)通常被用来沉积薄膜于基板上，基板诸如半导体基板、太阳能面板基板、平板显示器(FPD)基板、有机发光显示器(OLED)基板等等。通常藉由将处理气体导入具有配置于基座上的基板的真空腔室来达成等离子体增强化学气相沉积。藉由一或多个耦接至腔室的RF源将RF电流施加至腔室来激发处理气体成为等离子体。等离子体发生反应从而在位于基座上的基板表面上形成材料层。

RF电流试图返回到驱动RF电流的源。因此，RF电流需要一条路径以返回到RF功率源。当未适当配置RF返回路径时，返回到RF功率源的RF电流的电位将可能小于在腔室中移动以把处理气体激发成等离子体的RF电流。若这两个电流足够靠近，则这两个电流间的电位差异会在腔室中引起电弧的产生并有可能激发在沉积过程中会影响沉积均匀性与薄膜性质的寄生等离子体。

因此，需要具有适当设计的RF返回路径的设备。

发明内容

本文揭露的实施例大致关于具有阳极处理的气体分配喷头的设备。在大面积平行板的RF处理腔室中，控制RF返回路径将具有挑战性。RF处理腔室中经常碰到电弧的产生。为了减少RF处理腔室中的电弧产生，可耦接多个带至基座以缩短RF返回路径；可在处理过程中耦接陶瓷或绝缘或阳极处理的遮蔽框架至基座；且可沉积阳极处理的涂层于最接近腔室壁的喷头边缘上。阳极处理的涂层可减少喷头与腔室壁之间的电弧产生，并因此增进薄膜性质并提高沉积速率。

一实施例中，揭露一种等离子体处理设备。该设备包括：处理腔室主体，具有数个壁与底面；基座，配置于处理腔室主体中并可在第一位置与第二位置之间移动；及一或多个带，耦接至基座并耦接至一或多个底面或壁。该设备亦包括喷头，该喷头配置于处理腔室主体中且与基座相对，且喷头具有一或多个延伸穿越该喷头中的气体通道。喷头包括阳极处理的涂层，该涂层配置于喷头邻近壁的那些部分上。该设备亦包括遮蔽框架，该遮蔽框架配置于处理腔室主体中且位于基座与喷头之间，遮蔽框架可移动于第三位置与第四位置之间，其中第三位置与基座有所间隔而第四位置接触基座。

另一实施例中，揭露一种气体分配喷头。该喷头包括喷头主体，该喷头主体具有多个延伸穿越该喷头主体的气体通道。该喷头主体具有中心部分与凸缘部分。凸缘部分具有在处理过程中面对基座的第一表面、与第一表面相对的第二表面、及连接第一表面与第二表面的边缘表面。该喷头亦包括阳极处理的涂层，该涂层配置于喷头主体的凸缘部分上。阳极处理的涂层覆盖至少边缘表面的部分。阳极处理的涂层自第一位置处延伸，第一位置与喷头主体中心相隔第一距离。阳极处理的涂层自第二位置处延伸，第二位置与喷头主体中心相隔第二距离(大于第一距离)。阳极处理的涂层自第一位置与第二位置两者处延伸，以致阳极处理的涂层覆盖至少边缘表面的部分。

另一实施例中，揭露一种等离子体增强化学气相沉积设备。该设备包括：腔室主体，具有多个壁与腔室底面；及基座，配置于腔室主体中且可在第一位置与第二位置之间移动，第一位置与腔室底面间隔第一距离而第二位置与腔室底面间隔第二距离，其中第二距离大于第一距离。该设备亦包括多个带，该多个带耦接至基座且耦接至一或多个腔室底面与多个壁。多个带沿着基座不均匀地分散。该设备亦包括气体分配喷头，该气体分配喷头配置于腔室主体中且与基座相对，气体分配喷头具有多个延伸穿越该气体分配喷头的气体通道，并具有中心部分与边缘部分。气体分配喷头包括阳极处理的涂层，该涂层配置于喷头上且延伸于气体分配喷头表面上。阳极处理的涂层在边缘部分的厚度大于阳极处理的涂层在中心部分的厚度。

附图说明

为了更详细地了解本发明的上述特征，可参照实施例(某些描绘于附图中)来理解本发明简短概述于上的特定描述。然而，需注意附图仅描绘本发明的典型实施例而因此不被视为本发明的范围的限制因素，因为本发明可允许其他等效实施例。

图1是根据一实施例的设备100的示意横剖面图。

图2是根据一实施例的基座202的等角图，使多个带204与该基座202耦接。

图3是根据另一实施例的基座350的示意俯视图，使多个带352与该基座350耦接。

图4是根据一实施例气体分配喷头402的示意横剖面图。

图5是根据一实施例气体分配喷头550相对于处理腔室壁554的示意横剖面图。

图6是根据另一实施例包含喷头602上的阳极处理层604的设备600的示意横剖面图。

图7A是RF返回元件的另一实施例的等角图。