[发明专利]高比表面积的碳纳米管集合体的制造方法

权利要求书

1.一种碳纳米管集合体的制造方法，其中，使原料气体和催化剂赋活物质与基材上的催化剂接触而使碳纳米管生长，其特征在于，包括：

形成工序，其中，供给还原气体而使其与所述基材上的催化剂接触，并且对所述催化剂以及所述还原气体中的至少任一种进行加热，从而将所述催化剂还原、和/或微粒化；和

碳纳米管生长工序，其中，使含有碳并且不含有氧的原料气体、和含有氧的催化剂赋活物质与在所述形成工序中还原的所述催化剂以及催化剂微粒的至少任一种接触，并且对所述催化剂、所述催化剂微粒、所述原料气体以及所述催化剂赋活物质中的至少任一种进行加热，使碳纳米管生长，

在所述碳纳米管生长工序中使用的所述原料气体中含有的碳原子个数浓度与在所述碳纳米管生长工序中使用的所述催化剂赋活物质中含有的氧原子个数浓度之比为0.5以上且200以下。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，所述原料气体在相对于所述基材平面大致平行的方向的多个方向上形成原料气流后，所述原料气体从相对于所述基材平面大致垂直的方向上与所述基材上的所述催化剂以及所述催化剂微粒中的至少任一种接触。

3.根据权利要求1或2所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，将由原料气体和气氛气体的供给量调节碳重量通量而得到的所述原料气体和所述气氛气体供给到合成炉中，使所述原料气体以大致均匀的量与所述基材上的所述催化剂以及所述催化剂微粒的至少任一种接触，从而使碳纳米管生长。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，在所述碳纳米管生长工序后，还具备碳杂质附着抑制工序。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，由原料气体和气氛气体的供给量调节碳重量通量来供给所述原料气体。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，所述原料气体通过的流路的截面积、和所述原料气体通过的流路与所述催化剂交叉的面的面积大体一致。

7.一种碳纳米管集合体的制造方法，其中，使原料气体和催化剂赋活物质与负载有催化剂的粒状体和/或线状体的基材接触，从而使碳纳米管生长，其特征在于，包括：

形成工序，其中，供给还原气体而与所述催化剂接触，并且对所述催化剂以及所述还原气体中的至少任一种进行加热，将所述催化剂还原、和/或微粒化；和

碳纳米管生长工序，其中，使含有碳并且不含有氧的原料气体、和含有氧的催化剂赋活物质与在所述形成工序中还原的所述催化剂以及催化剂微粒的至少任一种接触，并且对所述催化剂、所述催化剂微粒、所述原料气体以及所述催化剂赋活物质的至少任一种进行加热而使碳纳米管生长，

在所述碳纳米管生长工序中使用的所述原料气体中含有的碳原子个数浓度与在所述碳纳米管生长工序中使用的所述催化剂赋活物质中含有的氧原子个数浓度之比为0.5以上且200以下。

8.根据权利要求7所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，所述粒状体或者所述线状体的基材的平均直径为10μm以上且1cm以下。

9.根据权利要求7或8所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，所述原料气体在相对于所述基材平面大致平行的方向的多个方向上形成原料气流后，所述原料气体从相对于所述基材平面大致垂直的方向上与所述基材上的所述催化剂以及催化剂微粒的至少任一种接触。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，将由原料气体和气氛气体的供给量调节碳重量通量而得到的所述原料气体和所述气氛气体供给到合成炉中，使所述原料气体以大致均匀的量与所述基材上的所述催化剂以及所述催化剂微粒的至少任一种接触，从而使碳纳米管生长。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，在所述碳纳米管生长工序后，还具备碳杂质附着抑制工序。

12.根据权利要求7～11中任一项所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，由原料气体和气氛气体的供给量调节碳重量通量来供给所述原料气体。

13.根据权利要求7～12中任一项所述的碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，所述原料气体通过的流路的截面积、和所述原料气体通过的流路与所述催化剂交叉的面的面积大体一致。