[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具有存储单元，所述存储单元具备：

第一PMOS晶体管，其源极端子被供给第一电压；

第二PMOS晶体管，其源极端子为浮置状态；

第一NMOS晶体管，其源极端子为浮置状态；和

第二NMOS晶体管，其源极端子被供给比所述第一电压低的第二电压，

其中，所述第一PMOS晶体管的漏极端子、所述第一NMOS晶体管的漏极端子、所述第二PMOS晶体管的栅极端子、和所述第二NMOS晶体管的栅极端子相连接，

所述第二PMOS晶体管的漏极端子、所述第二NMOS晶体管的漏极端子、所述第一PMOS晶体管的栅极端子、和所述第一NMOS晶体管的栅极端子相连接。

2.一种半导体存储装置，其特征在于具有存储单元，所述存储单元具备：

第一PMOS晶体管，其源极端子被供给第一电压；

第二PMOS晶体管，其漏极端子为浮置状态；

第一NMOS晶体管，其漏极端子为浮置状态；和

第二NMOS晶体管，其源极端子被供给比所述第一电压低的第二电压，

其中，所述第一PMOS晶体管的漏极端子、所述第二PMOS晶体管的栅极端子、和所述第二NMOS晶体管的栅极端子相连接，

所述第二NMOS晶体管的漏极端子、所述第一PMOS晶体管的栅极端子、和所述第一NMOS晶体管的栅极端子相连接。

3.一种半导体存储装置，其特征在于具有存储单元，所述存储单元具备：

第一PMOS晶体管，其源极端子被供给第一电压；

第二PMOS晶体管，其漏极端子为浮置状态；

第一NMOS晶体管，其在源极端子上连接第一位线，在栅极端子上连接字线；

第二NMOS晶体管，其在源极端子上连接与所述第一位线互补的第二位线，在栅极端子上连接所述字线；

第三NMOS晶体管，其在漏极端子上连接所述第一NMOS晶体管的漏极端子；和

第四NMOS晶体管，其源极端子被供给比所述第一电压低的第二电压，

其中，所述第一PMOS晶体管的漏极端子、所述第二PMOS晶体管的栅极端子、和所述第四NMOS晶体管的栅极端子相连接，

所述第四NMOS晶体管的漏极端子、所述第二NMOS晶体管的漏极端子、所述第一PMOS晶体管的栅极端子、和所述第三NMOS晶体管的栅极端子相连接。

4.一种半导体存储装置，其特征在于具有存储单元，所述存储单元仅由如下4个晶体管构成：

PMOS晶体管，其源极端子被供给第一电压；

第一NMOS晶体管，其在源极端子上连接第一位线，在栅极端子上连接字线；

第二NMOS晶体管，其在源极端子上连接与所述第一位线互补的第二位线，在栅极端子上连接所述字线；和

第三NMOS晶体管，其源极端子被供给比所述第一电压低的第二电压，

其中，所述PMOS晶体管的漏极端子、所述第一NMOS晶体管的漏极端子、和所述第三NMOS晶体管的栅极端子相连接，

所述第三NMOS晶体管的漏极端子、所述第二NMOS晶体管的漏极端子、和所述PMOS晶体管的栅极端子相连接。

5.一种半导体存储装置，其特征在于具有存储单元，所述存储单元具备：

锁存器，其将第一反相器的输出经由第一存储节点连接到第二反相器的输入，并将所述第二反相器的输出经由第二存储节点连接到所述第一反相器的输入而构成；和进行对所述锁存器的读出以及写入的电路，

其中，任意的存储单元的构成所述第一反相器的PMOS晶体管的源极或漏极被切断，并且，构成所述第二反相器的NMOS晶体管的源极或漏极被切断。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述存储单元的构成所述第一反相器的PMOS晶体管和构成所述第二反相器的NMOS晶体管的任意一方不存在。