[发明专利]使用新兴非易失性存储器元件及快闪存储器

权利要求书

1.一种存储器装置，其包含：

基于晶体管的非易失性存储器元件阵列；及

耦合到所述阵列的电路，所述电路包含用于存储待存储于所述阵列中的数据及/或存储先前存储于所述阵列中的数据的多个新兴非易失性存储器元件。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述新兴非易失性存储器元件包含相变存储器元件。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述新兴非易失性存储器元件包含磁阻式存储器元件。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述新兴非易失性存储器元件包含电阻式存储器元件。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述新兴非易失性存储器元件包含铁电存储器元件。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述新兴非易失性存储器元件包含自旋转移矩存储器元件。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述新兴非易失性存储器元件包含纳米管存储器元件。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述阵列包含NAND快闪存储器且被组织成具有页大小的多个页，且其中所述多个新兴非易失性存储器元件的数目等于所述页大小。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述电路进一步包含感测电路。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述感测电路包含数据锁存器及高速缓冲存储器锁存器，且所述锁存器每一者包括若干个新兴非易失性存储器元件。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述阵列包含NAND快闪存储器阵列且被组织成具有块大小的多个块，且其中所述多个新兴非易失性存储器元件被组织成具有所述块大小的至少一个块。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述阵列包含NAND快闪存储器阵列且被组织成具有块大小的多个块，且其中所述多个新兴非易失性存储器元件被组织成具有所述块大小的一个以上块。

13.一种快闪存储器装置，其包含：

基于晶体管的非易失性存储器单元阵列，所述阵列被组织成多个存储器块，每一存储器块包含多个存储器页；及

电耦合到所述阵列的高速缓冲存储器，所述高速缓冲存储器包含用于存储待存储于所述阵列中的数据的多个新兴非易失性存储器元件，所述新兴非易失性存储器元件被组织成至少一个存储器块。

14.根据权利要求13所述的快闪存储器装置，其中所述阵列及高速缓冲存储器电路位于同一模块中。

15.根据权利要求13所述的快闪存储器装置，其中所述阵列及所述高速缓冲存储器电路位于同一电路板上。

16.根据权利要求13所述的快闪存储器装置，其中所述高速缓冲存储器与所述阵列堆叠于同一芯片封装中。

17.根据权利要求13所述的快闪存储器装置，其中所述新兴非易失性存储器元件被组织成多个存储器块。

18.根据权利要求17所述的快闪存储器装置，其中存储于所述存储器块中的数据在被编程到所述阵列中的存储器块中之前经错误校正。

19.根据权利要求17所述的快闪存储器装置，其中存储于所述存储器块中的数据在被编程到所述阵列中的存储器块中之前经受片段固定。

20.根据权利要求17所述的快闪存储器装置，其中至少一个新兴非易失性存储器块用作所述阵列中的坏存储器块的冗余块。

21.一种操作快闪存储器装置的方法，所述快闪存储器装置包含基于晶体管的非易失性存储器元件阵列及耦合到所述阵列的电路，所述电路包含多个新兴非易失性存储器元件，所述方法包含：

将数据存储于至少一个新兴非易失性存储器元件中；及

在编程操作期间将所述所存储的数据拷贝到快闪存储器单元阵列中。

22.根据权利要求21所述的方法，其进一步包含在将所述所存储的数据拷贝到所述阵列中之前对所述所存储的数据执行错误校正。

23.根据权利要求21所述的方法，其进一步包含在将所述所存储的数据拷贝到所述阵列中之前对所述所存储的数据执行片段固定。