[发明专利]阴图制版可成像元件无效
申请号: | 201080027088.6 | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN102804067A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | T·陶;E·E·克拉克;J·卡拉门 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | G03F7/029 | 分类号: | G03F7/029;G03F7/032;G03F7/033;B41C1/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张萍;杨思捷 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制版 成像 元件 | ||
1.阴图制版可成像元件,所述元件包含其上具有可成像层的基材,该可成像层包含:
可自由基聚合组分;
引发剂组合物,其一经暴露于成像辐射,能够产生足以引发可自由基聚合组分聚合的自由基;
吸收辐射的化合物;
一种或更多种聚合物粘合剂;以及
至少5重量%芯-壳颗粒,其包含疏水性聚合物芯和与该聚合物芯共价结合的亲水性聚合物壳,所述亲水性聚合物壳包含一种或更多种两性离子官能团。
2.如权利要求1所述的元件,其中所述两性离子官能团为磺基甜菜碱、羧基甜菜碱、磷酸酯甜菜碱、或硫酸基甜菜碱。
3.如权利要求1或2所述的元件,其中所述两性离子官能团由以下结构(ZW)表示:
--N+(R1)(R2)-(CH2)n-A-
(ZW)
其中R1和R2独立为氢、或取代或未取代的烷基或芳基,n为1~6的整数,A-为-SO3-、-CO2-、-SO4-或-OPO3-基团。
4.如权利要求1至3中任一项所述的元件,其中所述芯-壳颗粒以5~50重量%的量存在于所述可成像层中。
5.如权利要求1至4中任一项所述的元件,其中所述疏水性聚合物芯包含具有衍生自一种或更多种(甲基)丙烯酸烷基酯的重复单元的一种或更多种疏水性聚合物。
6.如权利要求1至5中任一项所述的元件,其中所述亲水性聚合物壳包含两种或更多种不同的两性离子基团。
7.如权利要求1至6中任一项所述的元件,其中所述亲水性聚合物壳包含共聚物,所述共聚物包含衍生自一种或更多种具有两性离子基团的烯键式不饱和可聚合单体的重复单元以及衍生自不具有两性离子基团的一种或更多种烯键式不饱和可聚合单体的重复单元,其中所述具有两性离子基团的重复单元占全部重复单元的至少50摩尔%。
8.如权利要求1至7中任一项所述的元件,其中所述芯-壳颗粒中亲水性聚合物壳与疏水性聚合物芯的重量比为1∶20~1∶4。
9.如权利要求1至8中任一项所述的元件,其为平版印刷印版前体,其中所述基材为阳极氧化的含铝基材。
10.如权利要求1至9中任一项所述的元件,其中所述吸收辐射的化合物为吸收红外辐射的染料,基于可成像层总重量计,该吸收红外辐射的染料以1~30重量%的量存在。
11.如权利要求1至10中任一项所述的元件,其中所述引发剂组合物包含鎓盐。
12.如权利要求11所述的元件,其中所述鎓盐为包含由以下结构(IB)表示的二芳基碘鎓硼酸盐化合物的碘鎓硼酸盐:
其中X和Y独立为卤素、烷基、烷氧基或环烷基,或者两个或更多个相邻的X或Y基团可以与各自的苯基环结合而形成稠环,p和q独立为0或者1~5的整数,Z-为由以下结构(IBz)表示的有机阴离子:
其中R1、R2、R3和R4独立为烷基、芳基、烯基、炔基、环烷基或杂环基,或者R1、R2、R3和R4中的两个或更多个可以连接在一起而形成含有硼原子的杂环。
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