[发明专利]聚硅氧烷缩合反应物

权利要求书

1.一种缩合反应物溶液，其包含如下成分：

(I)缩合反应物：通过使至少含有(i)以缩合换算量计为40质量％以上99质量％以下的来自由下述通式(1)表示的硅烷化合物的聚硅氧烷化合物、和(ii)1质量％以上60质量％以下的二氧化硅颗粒的缩合成分进行缩合反应而获得；以及

(II)溶剂，

R¹nSiX¹_4-n    (1)

式(1)中，n为0～3的整数、R¹为氢原子或碳原子数1～10的烃基，X¹为卤素原子、碳原子数1～6的烷氧基或乙酰氧基，

且该由通式(1)表示的硅烷化合物为至少含有通式(1)中的n为0的4官能硅烷化合物、和通式(1)中的n为1的3官能硅烷化合物的2种以上的硅烷化合物。

2.根据权利要求1所述的缩合反应物溶液，其中，该缩合成分含有以缩合换算量计为50质量％以上90质量％以下的该聚硅氧烷化合物、和10质量％以上50质量％以下的该二氧化硅颗粒，

且该聚硅氧烷化合物中来自由下述通式(2)表示的4官能硅烷化合物的成分的比例为5mol％以上40mol％以下，

SiX²₄    (2)

式(2)中，X²为卤素原子、碳原子数1～6的烷氧基或乙酰氧基。

3.根据权利要求1或2所述的缩合反应物溶液，其中，该聚硅氧烷化合物中来自由下述通式(3)表示的3官能硅烷化合物的成分的比例为60mol％以上95mol％以下，

R²SiX³₃    (3)

式(3)中，R²为碳原子数1～10的烃基，X³为卤素原子、碳原子数1～6的烷氧基或乙酰氧基。

4.根据权利要求1或2所述的缩合反应物溶液，其中，²⁹SiNMR分析中，该缩合反应物中的全部4官能硅氧烷成分的峰强度(A)与该缩合反应物中相当于4个硅氧烷键合数的成分的峰强度(B)满足下述关系，

{(B)/(A)}≥0.50。

5.根据权利要求1或2所述的缩合反应物溶液，其中，该缩合反应物的重均分子量为1,000以上20,000以下。

6.根据权利要求1或2所述的缩合反应物溶液，其用于半导体元件上所形成的沟槽的填埋用途。

7.一种制造权利要求1或2所述的缩合反应物溶液的方法，其包括如下工序：

第1工序，使含有5mol％以上40mol％以下由下述通式(2)表示的4官能硅烷化合物、和60mol％以上95mol％以下由下述通式(3)表示的3官能硅烷化合物的硅烷化合物在醇水溶液中，在pH为5以上且不足7的弱酸性条件下进行水解缩聚，获得聚硅氧烷化合物；

第2工序，使含有以缩合换算量计为40质量％以上99质量％以下的该第1工序中获得的聚硅氧烷化合物、和1质量％以上60质量％以下的二氧化硅颗粒的缩合成分在碳原子数1～4的醇水溶液中，pH6～8的条件下、50℃以上的温度下进行缩合反应，获得反应液；

第3工序，向该第2工序中获得的反应液中加入选自由醇、酮、酯、醚以及烃系溶剂组成的组中的至少1种沸点在100℃以上200℃以下的溶剂，然后通过蒸馏将沸点在100℃以下的成分蒸馏去除，从而获得缩合反应物溶液，

SiX²₄    (2)

式(2)中，X²为卤素原子、碳原子数1～6的烷氧基或乙酰氧基，

R²SiX³₃    (3)

式(3)中，R²为碳原子数1～10的烃基，X³为卤素原子、碳原子数1～6的烷氧基或乙酰氧基。

8.一种绝缘膜的形成方法，其包括如下工序：将权利要求1或2所述的缩合反应物溶液涂布在基板上而获得涂布基板的工序；

将在该涂布工序中获得的涂布基板进行加热的焙烧工序。

9.根据权利要求8所述的绝缘膜的形成方法，该基板具有沟槽结构。