[发明专利]包含纳米粒子的复合材料,以及包含四元、五元或更高元复合的半导体纳米粒子的光活性层的制备无效
申请号: | 201080028687.X | 申请日: | 2010-05-27 |
公开(公告)号: | CN102460762A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | D·迈斯纳;T·拉特;E·迈尔;G·特里梅尔;A·普莱辛;F·施特尔策 | 申请(专利权)人: | 依索沃尔泰克股份公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 柳冀 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 纳米 粒子 复合材料 以及 更高 复合 半导体 活性 制备 | ||
1.由至少两种组分组成的复合材料,其特征在于,至少一种组分以纳米粒子的形式存在,该组分由至少三种金属和至少一种非金属组成,且其直径低于1微米,优选低于200nm。
2.根据权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述纳米粒子以晶体存在,且其X射线反射的特征在于显著增宽。
3.根据权利要求1或2所述的复合材料,其特征在于,所述纳米粒子的尺寸可通过电子显微镜确定。
4.根据权利要求1至3任一项所述的复合材料,其特征在于,所述纳米粒子埋置于由复合材料的至少一种另外的成分构成的基质中。
5.根据权利要求1至4任一项所述的复合材料,其特征在于,所述复合材料包含至少一种有机化合物。
6.根据权利要求1至5任一项所述的复合材料,其特征在于,所述纳米粒子在所述复合材料的至少一种另外的成分中以足以在所述纳米粒子和所述另外的成分之间产生连续导电通路的浓度存在。
7.包含根据权利要求1至6任一项所述的复合材料的光活性层,其特征在于,存在选自聚噻吩、聚对苯乙炔、聚芴、聚对苯撑、聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔、聚咔唑、聚芳胺、聚异硫茚、聚苯并噻二唑和/或其衍生物的至少一种有机电活性聚合物、共聚物或低聚物作为有机电活性成分。
8.根据权利要求7所述的光活性层,其特征在于,无机电活性成分以纳米粒子的形式存在,X射线反射显著增宽,即,固体反射的半值宽度增加至少10%。
9.用于制备根据权利要求7或8所述的光活性层的方法,其特征在于,将由金属离子和至少一种前体组成的涂覆溶液涂覆至表面上。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述涂覆溶液包含四元、五元或更高元化合物的纳米粒子,该纳米粒子由至少三种金属和至少一种非金属组成,其中将所述涂覆溶液涂覆至具有小于100℃温度的表面上。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其特征在于,所述光活性层的制备在标准压力下以小于12小时的反应时间进行。
12.根据权利要求9至11任一项所述的方法,其特征在于,所述涂覆溶液包含四元和/或五元化合物的纳米粒子,该纳米粒子由至少三种金属和至少一种非金属组成,且所述涂覆溶液通过具有封端功能的有机化合物稳定并涂覆至表面上。
13.根据权利要求9至12任一项所述的方法,其特征在于,前体溶液具有硫族元素化物并借助喷雾技术涂覆至具有小于100℃温度的基材上。
14.根据权利要求9至13任一项所述的方法,其特征在于,将所述光活性层后来进行40℃至1000℃,优选40℃至400℃温度范围内的进一步热处理。
15.根据权利要求9至14任一项所述的方法,其特征在于,在所述涂覆溶液中,至少一种成分以纳米粒子的形式存在,其尺寸可通过电子显微镜确定。
16.根据权利要求9至15任一项所述的方法,其特征在于,在所述涂覆溶液中,至少一种成分以纳米粒子的形式存在,其特征在于,其包含至少一种I副族元素,优选Cu、Ag、Au。
17.根据权利要求9至16任一项所述的方法,其特征在于,在所述涂覆溶液中,至少一种成分以纳米粒子的形式存在,其特征在于,其包含至少一种II副族元素,优选Zn、Cd、Hg。
18.根据权利要求9至17任一项所述的方法,其特征在于,在所述涂覆溶液中,至少一种成分以纳米粒子的形式存在,其特征在于,其包含至少一种IV主族元素,优选C、Si、Ge、Sn、Pb。
19.根据权利要求9至18任一项所述的方法,其特征在于,在所述涂覆溶液中,至少一种成分以纳米粒子的形式存在,其特征在于,其包含硫族元素,优选O、S、Se、Te、Po。
20.根据权利要求7和8所述的光活性层的用途,用于制备具有荧光性质的部件。
21.根据权利要求7和8所述的光活性层的用途,用于制备部件或组件如太阳能电池,传感器或探测器,电学或光学,包括紫外、红外和微波范围组件,开关,显示器或发光部件如激光灯或LED。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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