[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括：

栅极层形成工序，在基板形成栅极电极和第一配线；

栅极绝缘膜形成工序，在以覆盖所述栅极电极和第一配线的方式形成第一绝缘膜之后，以在与所述第一配线重叠的位置形成接触孔的方式对该第一绝缘膜进行图案化，形成栅极绝缘膜；

源极层形成工序，在以覆盖所述栅极绝缘膜的方式形成导电膜之后，对该导电膜进行图案化，形成以与所述栅极电极重叠并且相互分离的方式分别设置的源极电极和漏极电极，和以与所述第一配线交叉的方式设置、且通过所述接触孔与所述第一配线连接的第二配线；

层间绝缘膜形成工序，在以覆盖所述源极电极、漏极电极和第二配线的方式依次形成氧化物半导体膜和第二绝缘膜之后，对该第二绝缘膜进行图案化，形成层间绝缘膜；和

像素电极形成工序，将从所述层间绝缘膜露出的氧化物半导体膜低电阻化，形成像素电极。

2.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括：

栅极层形成工序，在基板形成栅极电极和第一配线；

栅极绝缘膜形成工序，在以覆盖所述栅极电极和第一配线的方式依次形成第一绝缘膜和氧化物半导体膜之后，以在与所述第一配线重叠的位置形成接触孔的方式，对所述第一绝缘膜与氧化物半导体膜的叠层膜进行图案化，形成栅极绝缘膜；

源极层形成工序，在以覆盖所述氧化物半导体膜的方式形成导电膜之后，对该导电膜进行图案化，形成以与所述栅极电极重叠并且相互分离的方式分别设置的源极电极和漏极电极，和以与所述第一配线交叉的方式设置、且通过所述接触孔与所述第一配线连接的第二配线；

层间绝缘膜形成工序，在以覆盖所述源极电极、漏极电极和第二配线的方式形成第二绝缘膜之后，对该第二绝缘膜进行图案化，形成层间绝缘膜；和

像素电极形成工序，将从所述层间绝缘膜露出的氧化物半导体膜低电阻化，形成像素电极。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

在所述栅极层形成工序中，以达到在所述源极层形成工序中形成的漏极电极与在所述像素电极形成工序中形成的像素电极的边界的方式，宽幅地形成所述栅极电极。

4.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括：

栅极层形成工序，在基板形成栅极电极和第一配线；

栅极绝缘膜形成工序，在以覆盖所述栅极电极和第一配线的方式依次形成第一绝缘膜和导电膜之后，以在与所述第一配线重叠的位置形成接触孔的方式，对该第一绝缘膜与导电膜的叠层膜进行图案化，形成栅极绝缘膜；

源极层形成工序，对所述导电膜进行图案化，形成以与所述栅极电极重叠并且相互分离的方式分别设置的源极电极和漏极电极，和以与所述第一配线在所述接触孔的位置交叉的方式设置的第二配线；

层间绝缘膜形成工序，在以覆盖所述源极电极、漏极电极和第二配线的方式依次形成氧化物半导体膜和第二绝缘膜之后，对该第二绝缘膜进行图案化，形成层间绝缘膜；和

像素电极形成工序，将从所述层间绝缘膜露出的氧化物半导体膜低电阻化，形成像素电极，并且使所述第一配线与第二配线导通。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

所述栅极绝缘膜形成工序包括：在所述导电膜上形成感光性树脂膜，通过以半色调对该感光性树脂膜进行曝光，形成设置有凹部的抗蚀剂图案的工序；和对从该抗蚀剂图案露出的所述第一绝缘膜与导电膜的叠层膜进行蚀刻，形成所述接触孔的工序，

在所述源极层形成工序中，对通过使所述抗蚀剂图案变薄，除去该抗蚀剂图案的凹部的底部而露出的所述导电膜进行蚀刻，来进行图案化。

6.如权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

在所述像素电极形成工序中，对从所述层间绝缘膜露出的氧化物半导体膜进行等离子体处理。

7.如权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

在所述像素电极形成工序中，对从所述层间绝缘膜露出的氧化物半导体膜注入杂质。

8.如权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

在所述像素电极形成工序中，通过蚀刻从所述层间绝缘膜露出的氧化物半导体膜使该氧化物半导体膜变薄。