[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管基板的制造方法，特别涉及构成显示面板的薄膜晶体管基板的制造方法。

背景技术

有源矩阵驱动方式的液晶显示面板例如包括TFT基板，该TFT基板按每个作为图像的最小单位的各像素，设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下称为“TFT”)作为开关元件。

TFT基板例如能够通过如下方式制造：在将被蚀刻膜和感光性树脂膜在玻璃基板依次成膜之后，通过将该感光性树脂膜隔着掩模曝光而形成抗蚀剂图案，对从该抗蚀剂图案露出的被蚀刻膜进行蚀刻，重复进行这一系列的工序。

因此，在具备TFT基板的液晶显示面板中，为了降低其制造成本，历来提案有将玻璃基板大型化、削减上述光掩模的个数等TFT基板的制造方法。

例如在专利文献1公开有，通过使用半色调(halftone)图案的光掩模形成具有三种膜厚的抗蚀剂图案，从而削减光掩模的个数的TFT基板的制造方法。

此外，在现有的使用硅半导体膜的TFT基板的制造方法中，作为半导体膜形成硅膜，作为像素电极形成氧化物导电膜，但是近年来提案有使用氧化物半导体膜作为半导体膜的下一代高性能的TFT。

例如，在专利文献2中公开有利用构成TFT的氧化物半导体膜来构成像素电极的TFT阵列及其制造方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-164886号公报

专利文献2：日本特开2008-40343号公报

发明内容

发明所要解决的问题

图13(a)～图13(f)是用于说明与专利文献2中公开的TFT阵列对应的TFT基板150的制造工序的截面图。

此处，TFT基板150例如包括：以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极线(未图示)；以在与各栅极线正交的方向上相互平行地延伸的方式设置的多个源极线113(参照图13(f))；按各栅极线与各源极线113的交叉部的每一个交叉部、即按作为图像的最小单位的各像素的每个像素分别设置的多个TFT105(参照图13(f))；和设置为矩阵状、与各TFT105分别连接的多个像素电极(114c、参照图13(f))。此处，在TFT基板150，在多个像素电极呈矩阵状配置的区域中规定进行图像显示的显示区域，在该显示区域的周围规定非显示区域。而且，在TFT基板150的非显示区域中，上述栅极线通过在后述的栅极绝缘膜112形成的接触孔与和源极线113在同一层以同一材料形成的连接配线连接。

例如如图13(f)所示，TFT105包括：栅极电极111，其是设置在玻璃基板110上的上述栅极线的一部分或突出部；以覆盖栅极电极111的方式设置的栅极绝缘膜112；和在栅极绝缘膜112上以与栅极电极111重叠的方式设置的半导体层114。此处，例如如图13(f)所示，半导体层114包括：以与栅极电极111重叠的方式设置的沟道区域114a；源极区域114b，其以在沟道区域114a的图中左侧与该沟道区域114a相邻的方式设置，与源极线113连接；和漏极区域114c，其以在沟道区域114a的图中右侧与该沟道区域114a相邻的方式设置，构成上述像素电极。

以下对上述结构的TFT基板150的制造方法进行大致说明。

首先，在玻璃基板110上，使用第一个光掩模，如图13(a)那样形成栅极电极111。

接着，使用第二个光掩模，如图13(b)所示那样，覆盖栅极电极111，且在上述非显示区域中形成具有接触孔(未图示)的栅极绝缘膜112。

然后，使用第三个光掩模，如图13(c)所示那样在栅极绝缘膜112上形成源极线113。

进一步，使用第四个光掩模，如图13(d)所示那样在栅极绝缘膜112和源极线113上形成氧化物半导体层114。

然后，使用第五个光掩模，如图13(e)所示那样在源极配线113和氧化物半导体层114上形成层间绝缘膜115。

最后，通过利用等离子体P对从层间绝缘膜115露出的氧化物半导体层114进行处理将其低电阻化，如图13(f)所示那样形成沟道区域114a、源极区域114b和漏极区域(像素电极)114c。

如上所述，能够使用五个光掩模制造TFT基板150。