[发明专利]膨胀石墨薄片

说明书

技术领域

本发明涉及一种膨胀石墨薄片，详细而言涉及一种全部杂质极低的使用阶段的膨胀石墨薄片。

背景技术

可挠性膨胀石墨薄片是一种广为人知的产品，该石墨薄片的制造方式通常是将天然鳞片石墨或集结石墨等进行阳极氧化或者是浸泡在酸(例如向浓硫酸中加入例如硝酸等制成的混合酸)中进行氧化处理，然后将其水洗、干燥后进行加热膨胀化处理，制成膨胀化石墨，将通过上述方式制得的膨胀化石墨以加压或辊进行压缩成型而制造。该可膨胀石墨不仅拥有石墨的特征，即耐药品性、耐热性、导热性以及导电性均极其优异，还具有较大的可挠性和压缩复原性、而且具有较大的各向异性的特征，广泛用于制作各种包装材料、高温用隔热材料和热散热材料。

然而，由于上述膨胀石墨薄片的生产原料是天然鳞片石墨或集结石墨，因此含有大量以Si为首的、其他Fe、Al等杂质。此外由于是经过以浓硫酸为基础的混合酸的浸渍处理而制造，存在残留大量硫化物、特别是S含量过高的缺点。因此在加热、减压或是气体置换等条件下使用该膨胀石墨薄片时，存在环境气氛被这些杂质污染的缺点。特别是作为杂质，当S含量较高时该缺点会有更加显著发挥的倾向。

考虑到以上因素，本发明的发明者们提出了一种S含量在15ppm以下且S以外的全部杂质在20ppm以下的高纯度可挠性膨胀石墨薄片。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平4-21509号公报

发明内容

发明所要解决的课题

上述以往的方法，可提供杂质含量极低的膨胀石墨薄片。然而，在实际使用该膨胀石墨薄片时(例如，在单晶硅制造装置等、对纯度具有一定要求的产品的制造装置中作为一个构件进行使用时)，有时膨胀石墨薄片中含有杂质。这可认为是由于膨胀石墨薄片在制造后要经过捆包、搬运，之后才从捆包材料中取出进行使用，在上述捆包、搬运的阶段中杂质附着而导致。而该不良情况的发生，会对产品(上述例子中为单晶硅)带来不良影响，导致品质降低或成品率降低等问题。

在此，本发明的目的在于提供一种在该膨胀石墨薄片的生产阶段以及实际使用膨胀石墨薄片时，通过抑制膨胀石墨薄片所含的杂质，可抑制产品品质下降或成品率降低的膨胀石墨薄片。

解决课题的手段

为达成上述目的，本发明的特征在于全部杂质分别为低于检测界限的水平。

通过上述构成，即使在该膨胀石墨薄片实际使用时(例如，作为单晶硅制造装置等、对纯度具有一定要求的产品的制造装置的一个构件进行使用时)，也能抑制膨胀石墨薄片含大量杂质的情况。从而可抑制由于对产品(例如，单晶硅)带来不良影响而导致的品质降低或成品率降低。

上述杂质中含有Al、B、Be、Ca、Cu、Fe、K、Li、Mg、Na、Ni、S、Si、Ti、V以及Zn，且Al、B、Be、Ca、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、S、Ti、V以及Zn的量使用ICP发光法进行测定，K以及Na的量使用原子吸收分光光度法测定，Si的量使用吸光光度法测定。

上述杂质是指将膨胀石墨薄片用捆包材料进行捆包之后，从该捆包材料中取出后状态的使用阶段下的杂质。

此外，上述Al的量低于0.08mass ppm、B的量低于0.1mass ppm、Be的量低于0.02mass ppm、Ca的量低于0.04mass ppm、Cu的量低于0.08massppm、Fe的量低于0.04mass ppm、K的量低于0.1mass ppm、Li的量低于0.01mass ppm、Mg的量低于0.02mass ppm、Na的量低于0.05mass ppm、Ni的量低于0.1mass ppm、S的量低于1.0mass ppm、Si的量低于0.1massppm、Ti的量低于0.09mass ppm、V的量低于0.07mass ppm、Zn的量低于0.1mass ppm。

此外，上述捆包材料中含有B、Ba、Ca、Cu、Li、Ni、Mn、Mo、Ti以及Pb，并且当使用ICP-MS法进行测定时，全部元素分别为低于检测界限的水平。