[发明专利]移位寄存器无效
申请号: | 201080031667.8 | 申请日: | 2010-02-01 |
公开(公告)号: | CN102473461A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 坂本真由子;岩濑泰章 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28;G02F1/13;G09G3/20;G09G3/36;G11C19/00 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 | ||
1.一种移位寄存器,是由绝缘性基板支撑的移位寄存器,
具有分别依次输出输出信号的多个级,
所述多个级分别具有包含多个薄膜晶体管的电路,
所述多个薄膜晶体管包含:
第1薄膜晶体管,其与所述电路的工作相关;和
第2薄膜晶体管,具有至少一个悬浮的端子,
所述第2薄膜晶体管的其它端子连接于所述第1薄膜晶体管的对应端子,所述至少一个悬浮的端子形成为能与规定的配线连接。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器,
从所述基板的上方观察到的所述第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管的沟道区域的形状大致相同。
3.根据权利要求1或2所述的移位寄存器,
所述第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管具有源极电极和漏极电极中的任一方与栅极电极相连接的构造,所述第2薄膜晶体管中的源极电极和漏极电极中的另一方悬浮。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的移位寄存器,
所述第2薄膜晶体管中的所述至少一个悬浮的端子的延长部和所述第1薄膜晶体管中与所述悬浮的端子相对应的端子的延长部以相互不连接的状态重叠。
5.根据权利要求4所述的移位寄存器,
从所述基板的上方观察到的所述重叠的部分的形状大于10μm×10μm。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的移位寄存器,
设所述第1薄膜晶体管的三个端子为1A、1B、1C,设所述第2薄膜晶体管的三个端子为2A、2B、2C,当使所述端子2A与所述端子1A对应、所述端子2B与所述端子1B对应、所述端子2C与所述端子1C对应时,所述端子2A、1A、1C、2C由第1导电膜形成,所述端子2B和所述端子1B由与所述第1导电膜不同的第2导电膜形成,至少所述端子2C连接于所述端子1C。
7.根据权利要求6所述的移位寄存器,
所述端子2B连接于所述端子1B。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的移位寄存器,
在所述第1薄膜晶体管和所述第2薄膜晶体管之间不存在其它的薄膜晶体管。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的移位寄存器,
所述第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管具有相同个数的沟道,所述沟道的数量为5个以下。
10.根据权利要求9所述的移位寄存器,
所述沟道的数量为1个。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的移位寄存器,
所述第1薄膜晶体管中与所述悬浮的端子对应的端子具有延长部,所述第1薄膜晶体管的所述延长部的长度为100μm以上。
12.一种移位寄存器,是由绝缘性的基板支撑的移位寄存器,
具有分别依次输出输出信号的多个级,
所述多个级中的至少一个具有包含多个薄膜晶体管的电路,
所述多个薄膜晶体管包含:
薄膜晶体管M1,其与所述电路的工作相关;和
薄膜晶体管M2,其具有至少一个悬浮的端子,
所述薄膜晶体管M2的其它端子与所述薄膜晶体管M1的对应端子连接,
所述薄膜晶体管M1中与所述悬浮的端子相对应的端子的延长部与规定的配线重叠,在所述重叠的部分施以熔化处理,由此,所述薄膜晶体管M1的延长部与所述规定的配线相互连接。
13.一种有源矩阵基板,具备权利要求1至12中的任一项所述的移位寄存器。
14.一种显示面板,具备权利要求1至12中的任一项所述的移位寄存器。
15.一种移位寄存器的制造方法,所述移位寄存器是权利要求4所述的移位寄存器,所述制造方法包含如下工序:
检查所述电路的所述第1薄膜晶体管中是否产生了故障;以及
当在所述进行检查的工序中确认产生了故障时,进行如下修复处理:将所述第1薄膜晶体管从所述电路分离,并且将所述第2薄膜晶体管中的所述悬浮的端子连接于所述电路的规定的配线,
所述修复处理包含对所述重叠的部分施以熔化处理而使所述第2薄膜晶体管的所述悬浮的端子连接于所述规定的配线的工序。
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