[发明专利]移位寄存器

说明书

技术领域

本发明涉及移位寄存器，特别涉及形成于液晶显示面板、有机EL显示面板的有源矩阵基板的移位寄存器。

背景技术

近年来，在每个像素中具有薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下记为“TFT”)的液晶显示装置、有机EL显示装置得到普及。TFT利用形成于玻璃基板等基板上的半导体层来制作。形成有TFT的基板称为有源矩阵基板。

作为TFT，以往广泛使用将非晶硅薄膜作为活性层的TFT(以下记为“非晶硅TFT”)、将多晶硅膜作为活性层的TFT(以下记为“多晶硅TFT”)。

多晶硅膜中的载流子迁移率高于非晶硅膜，因此，多晶硅TFT具有高于非晶硅TFT的导通电流，能够高速工作。因此，开发出了如下显示面板，不仅像素用TFT由多晶硅TFT构成，驱动器等周边电路用TFT的一部分或全部也由多晶硅TFT构成。这样，有时将形成于构成显示面板的绝缘性基板(典型的是玻璃基板)的驱动器称为单片驱动器。驱动器中有栅极驱动器和源极驱动器，也有时仅将任意一方的驱动器设为单片驱动器。这里，所谓显示面板是指在液晶显示装置和有机EL显示装置内具有显示区域的部分，不包括液晶显示装置的背光源、边框等。

在本说明书中，将包含单片栅极驱动器的显示面板称为“栅极驱动器单片面板”。栅极驱动器单片面板具有：排列有多个像素的显示区域(也称为像素部)和设于像素部的周缘、形成栅极驱动器等驱动电路的边框区域(也称为周边区域)。

另一方面，为了对在制造阶段产生的断线故障进行修复，有时在显示面板形成修复线。例如在专利文献1中提出设置用于修复信号线的修复线的方案。此外，专利文献2中提出通过在形成于边框区域的数据驱动器中设置虚拟缓冲部来对数据配线故障进行修复的方案。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2008-165237号公报

专利文献2：特开2008-26900号公报

发明内容

发明要解决的问题

在栅极驱动器单片面板中，通常，边框区域(特别是移位寄存器)的图案密度高于像素部的图案密度。其理由如下。

在像素部，为了提高显示的对比度，优选提高开口率，配线和元件对单位面积所占的比例变小。而在边框区域，为了抑制边框区域的面积(窄边框化)，需要将包含移位寄存器的驱动电路布置在尽量狭窄的空间。因此，优选最紧密地填充配线、元件(最紧密填充构造)，单位面积内的配线、元件所占的比例变大。

这样，当移位寄存器的图案密度高时，在栅极驱动器单片面板的制造阶段，在移位寄存器产生断线、漏电等故障的比例变高。

当移位寄存器的哪怕一部分产生故障时，有时信号也不被送到故障产生部位的下级，会造成面板整体的故障。因此，一个部位的故障将成为面板整体的故障，所以成品率降低。

本发明鉴于上述问题完成，其主要目的是通过对在单片栅极驱动器中的移位寄存器产生的断线故障进行修复来提高成品率。

用于解决问题的方案

本发明的移位寄存器为由绝缘性基板支撑的移位寄存器，具有分别依次输出输出信号的多个级，所述多个级分别具有包含多个薄膜晶体管的电路，所述多个薄膜晶体管包含与所述电路的工作相关的第1薄膜晶体管和具有至少一个悬浮的端子的第2薄膜晶体管，所述第2薄膜晶体管的其它端子连接于所述第1薄膜晶体管的对应端子，所述至少一个悬浮的端子形成为可以与规定的配线连接。

在某优选实施方式中，从所述基板的上方观察到的所述第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管的沟道区域的形状大致相同。

在某优选实施方式中，所述第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管具有源极电极和漏极电极的任一方与栅极电极相连接的构造，所述第2薄膜晶体管中的源极电极和漏极电极的另一方悬浮。

在某优选实施方式中，所述第2薄膜晶体管中的所述至少一个悬浮的端子的延长部和所述第1薄膜晶体管中与所述悬浮的端子相对应的端子的延长部以相互不连接的状态重叠。

从所述基板的上方观察到的所述重叠的部分的形状也可大于10μm×10μm。