[发明专利]基板处理设备有效
申请号: | 201080032021.1 | 申请日: | 2010-07-12 |
公开(公告)号: | CN102484090A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 田代征仁;中泽俊和 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B65G49/07;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于在基板表面施加预定处理的基板处理设备。
背景技术
用于对基板执行预定处理的基板处理设备已知为例如溅射设备和化学气相沉积(CVD)设备的薄膜沉积设备、蚀刻设备、表面氧化设备、表面氮化设备和类似设备。为了在预定的气氛中处理基板,这些基板处理设备包括气密处理室。另外,基于连续执行不同的处理和提高生产率的目的,基板处理设备经常具有多个处理室。在本说明书中,这些具有多个处理室(加工室)的基板处理设备统称为多室基板处理设备。
多室设备的一个典型的类型是图14中示出的集群工具类型(cluster tool type)。这种类型被构造成将多个真空处理室13a、13b、13c和装载锁定室10气密地联接于传送室11的周围,该传送室11包括用于传送基板的机器手(以下称为传送机器手)。
在装载锁定室10从大气到被抽气至真空后,传送室11中的传送机器手12将基板(未示出)传送到真空处理室13a。在真空处理室13a中处理后,传送室11中的传送机器手12将基板(未示出)传送到真空处理室13b。在真空处理室13b中处理后,传送室11中的传送机器手12将基板(未示出)传送到真空处理室13c。在真空处理室13c中处理后,基板(未示出)被搬出并返回到装载锁定室10。
集群工具类型多室基板处理设备可具有以较小的占地面积设置较大量的处理室的优点。在需要提高生产率等的背景下,在上述的基板处理设备中,产生了在整个处理中以增加的复杂性和集成性提供更多的处理室的需求。
例如,随着在真空下连续执行的处理增加,可能同样需要相应增加多个处理室。当并行执行相同的处理以提高生产率时,同样需要更多的处理室。
为了在集群工具类型设备中增加处理室的数量,中心的传送室(图14中所示的附图标记11)的周长增加。这增加了传送室的尺寸,且导致了传送机器手的大的操作范围。传送室的大尺寸使得抽气时间较长。同时,传送室的大操作范围需要大尺寸的传送机器手,这产生了设备在机械上变得复杂的问题。
如在专利文献1中披露的一样,考虑一种用于通过串列式(in-line)系统传送基板的机构以避免上述问题。
专利文献1:日本特开2005-289556号公报
发明内容
然而,在传统的串列式多室基板处理设备中,当基板在处理室间传送时,一般执行安装在基板盘上的基板的传送。在执行预定处理每个处理室中,当安装基板时,与处理室中的基板一起,也存在作为基板传送构件的基板盘,因此,例如在成膜等处理中,从形成在基板上的膜剥离的膜可能导致粒子产生且粒子可能粘附在基板盘上。因此,在传统设备中,需要针对膜剥离导致的粒子粘附在基板盘上的对策。
为解决这些问题,设计了本发明,且本发明的目的在于提供一种串列式多室基板处理设备,其具有简单的构造,能够降低膜剥离导致的粒子的影响和能够安装多个处理室。
为了实现上述目的,本发明提供一种具有至少两个室的基板处理设备,其包括:第一室,其包括具有臂的传送机器手、第一位置、第二位置和第一开口,所述臂包括能够保持基板的基板保持部,所述臂在与转动轴垂直的方向上延伸,且所述臂能在保持所述臂的长度的状态下绕所述转动轴转动,所述第一位置用于当对所述基板执行预定的处理和当向邻接的室传送所述基板时定位所述基板,所述第二位置不同于所述第一位置;和第二室,所述第二室设置为在所述基板处理设备的传送所述基板的方向上的上游侧与所述第一室邻接,所述第二室包括第三位置和第二开口,所述第三位置用于当向所述第一室传送所述基板时定位所述基板,其中所述第一开口和所述第二开口设置成能经由所述第一开口和所述第二开口从所述第二室向所述第一室传送所述基板,所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第一开口和所述第二开口以使得所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第一开口和所述第二开口与所述臂绕所述转动轴转动时所述基板保持部的轨迹重叠的方式被分别定位;所述传送机器手被构造成能转动所述臂,以使得当在所述第一室中对所述基板执行所述预定的处理时,所述基板保持部位于所述第二位置,当从所述第二室向所述第一室传送所述基板时,所述基板保持部经由所述第一开口和所述第二开口进入所述第二室而位于所述第三位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造