[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括至少一维配置的多个单位单元，其中，

各单位单元包括：

基板，其由第一导电型的宽带隙半导体构成；

漂移层，其形成在上述基板上，由上述第一导电型的宽带隙半导体构成；

第二导电型的主体区域，其设置在上述漂移层内；

第1个第一导电型杂质区域，其设置在上述主体区域内；

第2个第一导电型杂质区域，其与上述主体区域相邻接地形成在上述漂移层的表面区域；

第3个第一导电型杂质区域，其在上述第2个第一导电型杂质区域和相邻接的单位单元的第2个第一导电型杂质区域之间，按照与上述第2个第一导电型杂质区域相接的方式，形成在上述漂移层的表面区域；

栅极绝缘膜，其至少在上述第1个第一导电型杂质区域与上述第2个第一导电型杂质区域之间，被形成为与上述漂移层的表面相接；

栅电极，其形成在上述栅极绝缘膜上；

第1欧姆电极，其与上述第1个第一导电型杂质区域电连接；和

第2欧姆电极，其与上述基板的形成有上述漂移层的面相反一侧的面电连接，

上述第3个第一导电型杂质区域的杂质浓度低于上述第2个第一导电型杂质区域的杂质浓度，并且在上述漂移层的杂质浓度以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备按照与上述栅极绝缘膜相接的方式设置在上述主体区域的表面区域的第一导电型的沟道区域，该主体区域跨过上述第1个第一导电型杂质区域和上述漂移层，

上述沟道区域的杂质浓度是上述第1个第一导电型杂质区域的杂质浓度及上述第2个第一导电型杂质区域的杂质浓度之间的值。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述第2个第一导电型杂质区域的厚度在上述沟道区域的厚度以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在从上述漂移层的表面侧观察上述各单位单元的情况下，在上述单位单元的排列方向上，上述第2个第一导电型杂质区域的宽度在从主体区域将第2个第一导电型杂质区域耗尽的程度的长度以上。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

还具备在上述漂移层中与上述第3个第一导电型杂质区域相邻接、并且在从上述漂移层的表面侧观察包括上述单位单元的顶点的位置形成的第4个第一导电型杂质区域，

上述第4个第一导电型杂质区域的杂质浓度低于上述第2个第一导电型杂质区域的杂质浓度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在从上述漂移层的表面侧观察上述各单位单元的情况下，上述主体区域具有四边形，上述第2个第一导电型杂质区域没有设置在上述主体区域的四边形的角。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在从上述漂移层的表面侧观察上述各单位单元的情况下，上述第2个第一导电型杂质区域连续地包围上述主体区域。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2个第一导电型杂质区域的杂质浓度高于上述主体区域的杂质浓度。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

上述第2个第一导电型杂质区域中的杂质浓度在1×10¹⁶cm^-3以上、1×10¹⁹cm^-3以下。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

上述第2个第一导电型杂质区域中的杂质浓度在1×10¹⁶cm^-3以上、1×10¹⁸cm^-3以下。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

上述第2个第一导电型杂质区域中的杂质浓度在1×10¹⁶cm^-3以上、1×10¹⁷cm^-3以下。