[发明专利]具有可配置分割比率的分频器

权利要求书

1.一种用于使用可配置分割比率分割信号的频率的方法，其包含：

在具有可配置分割比率的分频器中的时控开关处接收具有第一频率的输入信号；

操作所述分频器内部的非时控开关以选择多个分割比率中的一者；及

输出具有第二频率的输出信号，所述第二频率为所述第一频率除以所述选定的分割比率所得的频率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述输入信号包含压控振荡器VCO的输出信号。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述开关包含金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述开关进一步包含将反相器耦合到直流DC参考电压的p型MOSFET，及将所述反相器耦合到接地的n型MOSFET。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述反相器中的至少两者各自耦合到与非时控p型MOSFET并联的时控p型MOSFET以及与非时控n型MOSFET并联的时控n型MOSFET。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述时控MOSFET接收所述输入信号或所述输入信号的反相型式，所述非时控p型MOSFET接收控制信号，且所述非时控n型MOSFET接收所述控制信号的反相型式。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述输出信号与射频信号混合以产生基带信号。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述输出信号与基带信号混合以产生射频信号。

9.一种具有可配置分割比率的分频器，其包含：

经配置以接收具有第一频率的输入信号的多个时控开关；

经配置以选择多个分割比率中的一者的多个非时控开关；及

经配置以输出具有第二频率的输出信号的多个反相器，所述第二频率为所述第一频率除以所述选定的分割比率所得的频率。

10.根据权利要求9所述的分频器，其中所述输入信号包含压控振荡器VCO的输出信号。

11.根据权利要求10所述的分频器，其中所述开关包含金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

12.根据权利要求11所述的分频器，其中所述开关进一步包含将反相器耦合到直流DC参考电压的p型MOSFET，及将所述反相器耦合到接地的n型MOSFET。

13.根据权利要求12所述的分频器，其中所述反相器中的至少两者各自耦合到与非时控p型MOSFET并联的时控p型MOSFET及与非时控n型MOSFET并联的时控n型MOSFET。

14.根据权利要求13所述的分频器，其中所述时控MOSFET接收所述输入信号或所述输入信号的反相型式，所述非时控p型MOSFET接收控制信号，且所述非时控n型MOSFET接收所述控制信号的反相型式。

15.根据权利要求9所述的分频器，其中所述输出信号与射频信号混合以产生基带信号。

16.根据权利要求9所述的分频器，其中所述输出信号与基带信号混合以产生射频信号。

17.一种用于使用可配置分割比率分割信号的频率的分频器，其包含：

用于在具有可配置分割比率的分频器中的时控开关处接收具有第一频率的输入信号的装置；

用于操作所述分频器内部的非时控开关以选择多个分割比率中的一者的装置；及

用于输出具有第二频率的输出信号的装置，所述第二频率为所述第一频率除以所述选定的分割比率所得的频率。

18.根据权利要求17所述的分频器，其中所述输入信号包含压控振荡器VCO的输出信号。

19.根据权利要求18所述的分频器，其中所述开关包含金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

20.根据权利要求19所述的分频器，其中所述开关进一步包含将反相器耦合到直流DC参考电压的p型MOSFET，及将所述反相器耦合到接地的n型MOSFET。