[发明专利]具有可配置分割比率的分频器

说明书

相关申请案

本申请案涉及2009年7月16日申请的第61/226,226号美国临时专利申请案“具有可再配置分割比率的分频器(A Frequency Divider with Reconfigurable Dividing Ratios)”且主张所述案的优先权。

技术领域

本发明大体来说涉及通信系统。更具体来说，本发明涉及具有可配置分割比率的分频器。

背景技术

无线通信系统已成为全世界许多人借以进行通信的重要手段。无线通信系统可提供用于许多移动装置的通信，所述移动装置中的每一者可由一基站来服务。移动装置的实例包括蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、手持型装置、无线调制解调器、膝上型计算机、个人计算机等。

移动装置可包括在操作期间使用的多种数字电路。举例来说，振荡器可用以使移动装置内跨越板电路或集成电路的各种电路同步。此外，移动装置内的不同电路可使用不同频率操作。因此，移动装置可使用多个振荡器以用于不同目的。

然而，如同其它便携式电子装置，移动装置可具有有限电池寿命。振荡器与其它类型的电路一起在操作期间消耗电流，因此缩短了电池寿命。此外，可能需要使集成电路上供电路组件使用的面积的量最小化。因此，可通过具有可配置分割比率的分频器来实现益处。

发明内容

揭示一种用于使用可配置分割比率分割信号的频率的方法。在具有可配置分割比率的分频器中的时控开关处接收具有第一频率的输入信号。操作所述分频器内部的非时控开关以选择多个分割比率中的一者。输出具有第二频率的输出信号，所述第二频率为所述第一频率除以所述选定的分割比率所得的频率。

在一个配置中，所述输入信号可为压控振荡器的输出信号，且所述开关可为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。此外，所述开关可为将反相器耦合到直流(DC)参考电压的p型MOSFET，及将所述反相器耦合到接地的n型MOSFET。所述反相器中的至少两者可各自耦合到与非时控p型MOSFET并联的时控p型MOSFET以及与非时控n型MOSFET并联的时控n型MOSFET。所述时控MOSFET可接收所述输入信号或所述输入信号的反相型式，所述非时控p型MOSFET可接收控制信号且，所述非时控n型MOSFET可接收所述控制信号的反相型式。

在另一配置中，可将所述输出信号与射频信号混合以产生基带信号。或者，可将所述输出信号与基带信号混合以产生射频信号。

还揭示一种具有可配置分割比率的分频器。所述分频器包括经配置以接收具有第一频率的输入信号的多个时控开关。所述分频器还包括经配置以选择多个分割比率中的一者的多个非时控开关。所述设备还包括经配置以输出具有第二频率的输出信号的多个反相器，所述第二频率为所述第一频率除以所述选定的分割比率所得的频率。

还揭示一种具有可配置分割比率的分频器。所述分频器包括用于在具有可配置分割比率的分频器中的时控开关处接收具有第一频率的输入信号的装置。所述分频器还包括用于操作所述分频器内部的非时控开关以选择多个分割比率中的一者的装置。所述分频器还包括用于输出具有第二频率的输出信号的装置，所述第二频率为所述第一频率除以所述选定的分割比率所得的频率。

还揭示一种用于使用可配置分割比率分割信号的频率的集成电路。所述集成电路经配置以在具有可配置分割比率的分频器中的时控开关处接收输入信号。所述集成电路还经配置以操作所述分频器内部的非时控开关以选择多个分割比率中的一者。所述集成电路还经配置以输出具有第二频率的输出信号，所述第二频率为所述第一频率除以所述选定的分割比率所得的频率。

附图说明

图1为说明具有本机振荡器(LO)路径的接收器的框图，所述本机振荡器(LO)路径可使用具有可配置分割比率的分频器；

图2为说明具有LO路径的发射器的框图，所述LO路径可使用具有可配置分割比率的分频器；

图3为说明LO路径的框图；

图4为说明LO路径的框图，所述LO路径包括两个分频器及混频器；

图5A为说明除以2分频器的电路图；

图5B为说明在图5A的分频器中的各个节点处的信号的时序图；

图5C为说明反相器的一个配置的电路图；

图6为说明除以4分频器的电路图；

图7为说明LO路径的框图，所述LO路径包括两个分频器及单一混频器；

图8为说明LO路径的框图，所述LO路径包括具有可配置分割比率的分频器；