[发明专利]微带耦合器无效
| 申请号： | 201080033763.6 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102439784A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 莫尔贾·法比奥 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208;H01P5/08;H01P7/10;H01Q1/38;H01Q13/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 中国广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微带 耦合器 | ||
1.一种微带耦合器，用于将射频(RF)波耦合进波导，所述微带耦合器包括：
一个带有加宽端部(103)的导电微带线(101)；以及
一个设在所述加宽端部(103)之后形成天线，用于辐射RF波的非导电槽(105)。
2.根据权利要求1所述的微带耦合器，其特征在于：所述非导电槽(105)由与所述加宽端部(103)接触的导电面(107)形成。
3.根据权利要求2所述的微带耦合器，其特征在于：所述导电面(107)接地。
4.据前述任一权利要求所述的微带耦合器，其特征在于：所述加宽端部(103)呈锥形。
5.据前述任一权利要求所述的微带耦合器，其特征在于：所述导电微带线(101)及所述加宽端部(103)在一块介电基板上。
6.据前述任一权利要求所述的微带耦合器，其特征在于：所述非导电槽(105)呈矩形。
7.据前述任一权利要求所述的微带耦合器，其特征在于：所述导电微带线(101)沿第一纵向延伸，其中所述的非导电槽(105)呈椭圆形，且沿与第一纵向垂直的第二纵向延伸。
8.据前述任一权利要求所述的微带耦合器，其特征在于：所述非导电槽(105)为导电材料上的一个凹槽。
9.据前述任一权利要求所述的微带耦合器，其特征在于：所述加宽端部(103)用于将RF波导向非导电槽(105)。
10.一种波导装置，包括：
据前述任一权利要求所述的微带耦合器；以及
围合所述非导电槽(105)用于接收辐射RF波的RF波导(201)。
11.根据权利要求10所述的波导装置，其特征在于：所述RF波导(201)包括围绕介电材料(203)的导电壁(205)，其中形成所述非导电槽(105)用于向所述介电材料(203)辐射RF波。
12.根据权利要求10或11的所述波导装置，其特征在于：所述RF波导(201)包括围绕介电材料(203)的导电壁(205)，其中所述导电壁(205)与所述加宽端部(103)导接。
13.根据权利要求10至12的所述波导装置，其特征在于：所述加宽端部(103)至少有一部分未被所述RF波导围合。
14.根据权利要求10至13的所述波导装置，其特征在于：所述RF波导(201)包括用于容纳所述导电微电线(101)的台阶部(207)，以及从所述导电微电线(101)垂直延伸的椭圆部。
15.根据权利要求10至14的所述波导装置，其特征在于：所述RF波导(201)沿所述非导电槽(105)的垂直方向延伸。
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