[发明专利]制造具有不对称积层的基板的方法

权利要求书

1.制造基板的方法，所述基板具有芯层、在所述芯层第一面上的m层积层以及在所述芯层第二面上的n层积层，其中，所述积层的每层包括介电层以及形成在其上的导电层，其中m＞n，所述方法包括：

在所述第一面上形成所述m层积层中的(m-n)层，其中，所述m层积层中的所述(m-n)层中的每层的形成包括对各介电层钻孔并去钻污；以及

形成n对积层，所述n对积层中的每对包括形成在所述第二面上的所述n层积层中的一层以及形成在所述第一面上的所述m层积层中的剩余n层中的一层，以及其中所述n对积层的每对的形成包括对各介电层对的每层钻孔，以及同时对所述各介电层对去钻污。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述对各介电层对的每层钻孔包括激光钻孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述m层积层和所述n层积层中任一积层中的任意介电层仅去钻污一次。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述的对所述各介电层对去钻污包括在所述对各介电层对的每层钻孔后从所述各介电层对上移除残留物。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述形成所述m层积层中的(m-n)层之前，在所述芯层的所述第一和第二面中至少之一上形成多个导电轨迹，以及在所述芯层的所述第一和第二面上电连接所述多个导电轨迹。

6.根据权利要求5所述的方法，所述电连接包括在所述芯层中钻至少一孔以及用导电材料镀覆所述孔以形成镀覆通孔(PTH)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述在所述芯层中钻至少一孔包括机械钻孔。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述n层积层中的每层包括高度在40μm到60μm范围内的介电层，以及所述m层积层中的每层包括高度在25μm到40μm范围内的介电层，不包括40μm的介电层。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述m层积层的最外层形成第一阻焊层。

10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括在所述n层积层的最外层形成第二阻焊层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一阻焊层的高度范围为16μm到30μm，不包括30μm，以及所述第二阻焊层的高度范围为30μm-60μm。

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述芯层的所述第二面上的至少一些所述n层积层中形成环，以加固所述基板。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述环是铜环。

14.根据权利要求1所述的方法，其中m＝2以及n＝1。

15.根据权利要求1所述的方法制造的基板，所述基板具有芯层、在所述芯层第一面上的m层积层以及在所述芯层第二面上的n层积层，其中m＞n，其中所述积层的每层包括仅去钻污一次的介电层。

16.根据权利要求15所述的基板，其进一步包括覆盖所述m层积层中的最外层的第一阻焊层；以及覆盖所述n层积层中的最外层的第二阻焊层。

17.根据权利要求15所述的基板，其中所述m层积层中的每层具有高度在25μm到40μm之间的不包括40μm的介电层，以及所述n层积层中的每层具有高度在40μm到60μm之间的介电层。

18.根据权利要求15所述的基板，其中所述芯层的热膨胀系数小于15ppm/℃。

19.半导体设备，其包括权利要求15所述的基板，以及互联到包含所述m层积层中的一层的所述导电层中的一层的芯片。

20.根据权利要求17所述的半导体设备，其进一步包括分别覆盖所述m层积层中的最外层和所述n层积层中的最外层的第一阻焊层和第二阻焊层，其中，所述第二阻焊层的高度大于所述第一阻焊层的高度。

21.根据权利要求17所述的半导体设备，其进一步包括分别覆盖所述m层积层中的最外层和所述n层积层中的最外层的阻焊层和介电材料层，其中所述介电材料层的高度大于所述阻焊层的高度。