[发明专利]用于可植入医疗设备的具有屏蔽的RF导电路径和阻抗匹配的共烧的电馈通件

权利要求书

1.一种用于植入性医疗设备(“IMD”)的电互连馈通件，包括：

由一个或多个介电材料层得到的整体结构；

延伸穿过所述整体馈通结构的，用于通信信号的导电路径；以及

内屏蔽，形成为延伸穿过所述介电材料层中的至少一个，从而围绕所述导电路径的至少一部分，其中所述内屏蔽用于使所述导电路径屏蔽于不理想的信号。

2.如权利要求1所述的电互连馈通件，其特征在于，所述导电路径和内屏蔽被形成为拥有延伸穿过所述整体馈通结构的基本共轴的关系。

3.如权利要求1所述的电互连馈通件，其特征在于，所述导电路径和内屏蔽由导电金属材料制成。

4.如权利要求1所述的电互连馈通件，其特征在于，所述内屏蔽是接地的。

5.如权利要求1所述的电互连馈通件，其特征在于，所述导电路径是用于将RF信号通信入和通信出所述IMD的射频(RF)导电路径。

6.如权利要求1所述的电互连馈通件，其特征在于，所述导电路径包括：

形成在所述一个或多个介电材料层的每一个中的至少一个通孔容纳孔，其中每一个通孔容纳孔耦合其中形成所述孔的所述相应层的主平面侧；

设置在所述每一个通孔容纳孔中，且至少部分地填充所述每一个通孔容纳孔的导电金属材料；以及

形成在两个相邻的介电材料层之间的导电材料的互连，用于连接形成在相邻的介电材料层中的通孔容纳孔。

7.如权利要求6所述的电互连馈通件，其特征在于，所述相邻的介电材料层的通孔容纳孔横向地彼此偏移，这样所述导电路径包括延伸穿过所述整体馈通结构的基本蜿蜒形状。

8.如权利要求6所述的电互连馈通件，其特征在于，所述相邻的介电材料层的通孔容纳孔基本彼此轴向对齐，这样所述导电路径包括延伸穿过所述整体馈通结构的基本线性形状。

9.如权利要求1所述的电互连馈通件，其特征在于，所述内屏蔽进一步包括：

形成在所述一个或多个介电材料层的每一个中的导电金属材料的圆环，其形成为围绕着形成在同一个相应介电材料层中的导电路径的部分，其中每一个导电金属材料的环耦合其中形成导电金属材料环的相应层的主平面侧；以及

形成在两个相邻的介电材料层之间的导电材料的互连，用于连接形成在相邻的介电材料层中的导电金属材料的连接环。

10.如权利要求1所述的电互连馈通件，其特征在于，所述内屏蔽进一步包括：

形成在所述一个或多个介电材料层的每一个中的多个导电金属材料的通孔，其形成为围绕着形成在同一个相应介电材料层中的导电路径的部分，其中形成在每个介电材料层中的多个导电金属材料的通孔的每一个耦合其中形成所述通孔的相应层的主平面侧；以及

形成在两个相邻的介电材料层之间的导电材料的互连，用于连接形成在相邻的介电材料层中的导电金属材料的连接通孔。

11.如权利要求10所述的电互连馈通件，其特征在于，形成在每一个介电材料层中的导电金属材料的多个通孔被形成为拥有理想的图案，以避免具有特定波长的不想要的或不理想的信号穿过其之间而到达所述整体馈通结构的所述导电路径。

12.如权利要求10所述的电互连馈通件，其特征在于，所述相邻介电材料层中形成的导电金属材料的多个通孔横向地彼此偏移，这样所述内屏蔽包括延伸穿过所述整体馈通结构的基本蜿蜒形状。

13.如权利要求10所述的电互连馈通件，其特征在于，所述相邻介电材料层中形成的导电金属材料的多个通孔以及形成在每一个相邻介电材料层中的导电材料的互连基本轴向地彼此对齐，以使所述内屏蔽包括延伸穿过所述整体馈通结构的基本线性的形状。

14.如权利要求1所述的电互连馈通件，其特征在于，所述介电材料层的至少一层包括具有在约1100℃到1700℃之间的烧结温度的高温共烧陶瓷(HTCC)材料，

进一步，其中所述介电材料层的至少一层、所述导电路径和所述内屏蔽在高位温度被共烧在一起而形成单个整体结构。