[发明专利]具有与基板电绝缘的p触点和n触点的薄膜LED

权利要求书

1.一种薄膜发光二极管，该薄膜发光二极管包括：

绝缘基板；

电极，所述电极在所述绝缘基板上；和

外延结构，所述外延结构在所述电极上。

2.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管，所述薄膜发光二极管还包括在所述电极和所述绝缘基板之间的导电粘合层。

3.根据权利要求2所述的薄膜发光二极管，其中所述导电粘合层和所述电极为金属，并且一起形成金属电流扩展层，所述金属电流扩展层具有大于约1μm的厚度。

4.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管，所述薄膜发光二极管还包括在所述绝缘基板的底部表面上的金属层。

5.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管，所述薄膜发光二极管还包括耦合到所述电极的金属触点。

6.根据权利要求5所述的薄膜发光二极管，其中所述金属触点在所述电极上。

7.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管，其中所述绝缘基板按照大于约50％的透射率透射介于约300nm和700nm之间的波长。

8.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管，其中所述绝缘基板按照大于约50％的反射率反射介于约300nm和700nm之间的波长。

9.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管，其中所述外延结构包括第一外延层、第二外延层、以及在所述第一外延层和所述第二外延层之间的有源区。

10.根据权利要求9所述的薄膜发光二极管，其中所述第一外延层具有带有微结构的粗糙化表面，所述微结构尺寸在约100nm和500nm之间。

11.根据权利要求9所述的薄膜发光二极管，其中所述第一外延层为n型GaN基层，并且所述第二外延层为p型GaN基层。

12.根据权利要求9所述的薄膜发光二极管，所述薄膜发光二极管还包括在所述第一外延层上的图案化的第二电极。

13.根据权利要求12所述的薄膜发光二极管，其中所述外延结构形成为在所述电极上的台面，并且所述图案化的第二电极在所述台面的顶部表面上。

14.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管，其中所述绝缘基板不是用于所述外延结构的初始生长基板。

15.一种薄膜发光二极管，该薄膜发光二极管包括：

基板；

绝缘介电膜层，所述绝缘介电膜层在所述基板上；

电极，所述电极在所述绝缘介电膜层上；和

外延结构，所述外延结构在所述电极上。

16.根据权利要求15所述的薄膜发光二极管，其中所述基板为导电的。

17.根据权利要求15所述的薄膜发光二极管，其中所述基板为绝缘体。

18.根据权利要求15所述的薄膜发光二极管，所述薄膜发光二极管还包括在所述电极和所述绝缘介电膜层之间的导电粘合层。

19.根据权利要求18所述的薄膜发光二极管，其中所述导电粘合层和所述电极为金属，并且一起形成金属电流扩展层，所述金属电流扩展层具有大于约1μm的厚度。

20.根据权利要求18所述的薄膜发光二极管，其中所述电极和所述导电粘合层从所述薄膜发光二极管的边缘凹陷。

21.根据权利要求15所述的薄膜发光二极管，所述薄膜发光二极管还包括在所述基板的底部表面上的金属层。

22.根据权利要求15所述的薄膜发光二极管，所述薄膜发光二极管还包括：

第二绝缘介电膜层，所述第二绝缘介电膜层在所述基板的底部表面上；和

金属层，所述金属层在所述第二绝缘介电膜层上。

23.根据权利要求15所述的薄膜发光二极管，所述薄膜发光二极管还包括耦合到所述电极的金属触点。

24.根据权利要求23所述的薄膜发光二极管，其中所述金属触点在所述电极上。