[发明专利]具有与基板电绝缘的p触点和n触点的薄膜LED

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜发光二极管(LED)，更具体而言，涉及一种具有与基板电绝缘的p触点和n触点的薄膜LED。

背景技术

LED已经发展许多年，并已被广泛用于多种光应用中。由于LED重量轻、能耗低且具有良好的电能到光能转化效率，已被用来取代传统的光源，例如白炽光和荧光灯光源。然而，在本领域中仍然存在改善LED的性能特性的需求。

发明内容

在本发明的一个方面，一种薄膜LED包括绝缘基板、绝缘基板上的电极、以及电极上的外延结构。

在本发明的另一个方面，一种薄膜LED包括基板、基板上的绝缘介电膜层、绝缘介电膜层上的电极、以及电极上的外延结构。

在本发明的另一个方面，一种制造薄膜发光二极管的方法包括在生长基板上形成外延结构。外延结构包括第一外延层、第二外延层、以及在第一外延层和第二外延层之间的有源区。该方法还包括：在外延结构的第二外延层上形成电极层；将带有导电性粘合剂层的主基板附接/粘合到电极层；移除生长基板；以及移除外延结构的一部分(或蚀刻)外延结构以形成带有外延结构的台面并暴露第二外延层或电极层中的至少一个。

应当理解，从下面的详细说明，薄膜LED的其它方面对于本领域的技术人员将变得显而易见，其中仅仅示出和描述了共面薄膜LED的示例性构造。如将要实现的，本发明包括共面薄膜LED的其它不同的方面，并且在本发明中提供的各种细节能够在多种其它方面修改，所有这些都不脱离本发明的精神和范围。因此，附图和详细描述将被视为本质上示例性的，而非限制性的。

附图说明

图1是立式薄膜LED的剖视图。

图2是图1的立式薄膜LED的俯视图。

图3是安装到底座上的图1的立式薄膜LED的剖视图。

图4是根据第一构造的共面薄膜LED的剖视图。

图5是串联安装在金属底座上的多个第一构造的共面薄膜LED的剖视图。

图6是根据第二构造的共面薄膜LED的剖视图。

图7是示出第一构造的共面薄膜LED的制造方法的第一剖视图。

图8是示出第一构造的共面薄膜LED的制造方法的第二剖视图。

图9是示出第一构造的共面薄膜LED的制造方法的第三剖视图。

图10是示出第一构造的共面薄膜LED的制造方法的第四剖视图。

图11是示出第一构造的共面薄膜LED的制造方法的第五剖视图。

图12是示出第一构造的共面薄膜LED的制造方法的第六剖视图。

图13是示出第一构造的共面薄膜LED的制造方法的第七剖视图。

图14是示出第一构造的共面薄膜LED的制造方法的第八剖视图。

图15是示出第二构造的共面薄膜LED的制造方法的第一剖视图。

图16是示出第二构造的共面薄膜LED的制造方法的第二剖视图。

图17是示出第二构造的共面薄膜LED的制造方法的第三剖视图。

图18是示出第二构造的共面薄膜LED的制造方法的第四剖视图。

图19是示出第二构造的共面薄膜LED的制造方法的第五剖视图。

图20是示出第二构造的共面薄膜LED的制造方法的第六剖视图。

图21是示出第二构造的共面薄膜LED的制造方法的第七剖视图。

图22是示出第二构造的共面薄膜LED的制造方法的第八剖视图。

图23是示出第二构造的共面薄膜LED的制造方法的第九剖视图。

图24是示出第一构造和第二构造的共面薄膜LED的第一实例的俯视图。

图25是示出第一构造和第二构造的共面薄膜LED的第二实例的俯视图。

具体实施方式

本文将结合附图描述本发明的各个方面，附图是本发明的理想化构造的示意图。因此，因例如制造技术和/或公差引起的所示形状的变化是预料中的。因此，在本发明通篇中提供的本发明的各个方面不应理解为局限于本文所示出和描述的元件(如区、层、段、基板等)的具体形状，而是包括因例如制造导致的形状上的偏差。例如，示出或描述为矩形的元件可具有在其边缘处的倒圆或弯曲的特征和/或渐变的集中，而不是从一个元件到另一个元件的不连续变化。因此，在附图中示出的元件本质上是示意性的，并且其形状并非意图示出元件的精确形状，也非意图限制本发明的范围。