[发明专利]受光元件的制作方法、受光元件制作装置

权利要求书

1.一种受光元件的制作方法，该受光元件具有将P型半导体和N型半导体接合而成的PN结、和分别与所述P型半导体及N型半导体连接的各个电极，所述受光元件的制作方法的特征在于，

该制作方法包括沉积工序，在对构成所述P型半导体、所述N型半导体、所述各个电极中任意一方的材料施加反向偏置电压的同时，照射波长比待沉积的材料的吸收波长长的期望波长的光而进行沉积，

所述沉积工序包括：

非绝热流程，在所述沉积的材料表面中形成有能够借助所述期望波长的照射光而产生近场光的局部形状的部位，连续进行以下处理：通过基于在该局部形状处产生的近场光的非绝热过程对所述期望波长的照射光进行光吸收而生成电子，同时利用该生成的电子来消除在该局部形状处产生的基于所述反向偏置电压的局部电场；

粒子吸附流程，在没有形成所述局部形状的部位，使产生了基于所述反向偏置电压的局部电场的部位依次吸附构成所述材料的粒子，在经过该吸附处理形成了所述局部形状的情况下向所述非绝热流程转移。

2.根据权利要求1所述的受光元件的制作方法，其特征在于，通过持续执行所述非绝热流程和所述粒子吸附流程，在所述沉积的材料表面上依次形成所述局部形状。

3.一种受光元件，其特征在于，该受光元件是利用权利要求1或2所述的受光元件的制作方法制作的。

4.一种用于制作受光元件的受光元件制作装置，该受光元件具有将P型半导体和N型半导体接合而成的PN结、和分别与所述P型半导体及N型半导体连接的各个电极，所述受光元件制作装置的特征在于，所述受光元件制作装置具有：

电压施加单元，其对构成所述P型半导体、所述N型半导体、所述各个电极中任意一方的材料施加反向偏置电压；以及

沉积单元，其照射波长比待沉积的材料的吸收波长长的期望波长的光而进行沉积，

所述沉积单元执行以下步骤：

非绝热流程，在所述沉积的材料表面中形成有能够借助所述期望波长的照射光而产生近场光的局部形状的部位，连续进行以下处理：通过基于在该局部形状处产生的近场光的非绝热过程对所述期望波长的照射光进行光吸收而生成电子，同时利用该生成的电子来消除在该局部形状处产生的基于所述反向偏置电压的局部电场；

粒子吸附流程，在没有形成所述局部形状的部位，使在产生了基于所述反向偏置电压的局部电场的部位依次吸附构成所述材料的粒子，在经过该吸附处理形成了所述局部形状的情况下向所述非绝热流程转移。