[发明专利]受光元件的制作方法、受光元件制作装置

说明书

技术领域

本发明涉及受光元件的制作方法，涉及不需进行材料的选定即可容易制作使对特定的波长具有敏感度的元件的受光元件的制作方法、受光元件制作装置。

背景技术

受光元件在对PN结施加反向偏置电压而使之形成耗尽层的状态下进行受光。入射到受光元件的受光表面的光在被称为光吸收层的能带较小的区域中被吸收，使该光吸收层产生载波。由于光吸收而产生的载波通过基于被施加了反向偏置电压的内部电场梯度而被加速，并被检测为电气信号。

可是，为了使该受光元件对某个特定的波长具有敏感度，需要选定具有能带小于基于该波长的光子能的材料。但是，在当今社会中，光技术在安全性等方面的应用这种多样化且高度的社会需求日趋高涨，针对可受光波长的要求涉及许多方面。因此，在重新对受光元件设定具有敏感度的波长、或者针对以前制作的受光元件将具有敏感度波长切换为其它波长的情况下，每次必须进行材料的选定，存在制作劳力的负担增大的问题。因此，一直在寻求无需进行材料的选定即可容易制作使对特定的波长具有敏感度的元件的制作技术。

此外，在截止到目前所提出的受光元件中，由于材料技术的限制，使得能够具有受光敏感度的波长区域受到限制。在这种现有的受光元件中，即使在入射了无法进行光电变换的波长的光的情况下，只要能够对其进行光电变换，就能够应对与可受光波长相关的各种用途。

近年来，提出了如非专利文献1所述的如下技术，利用基于近场光的非绝热过程，仅检测对传播光不具有敏感度的近场光。但是，在上述非专利文献1的技术中，其关注点不在于如何不进行材料的选定即可容易制作使对特定的波长具有敏感度的元件。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：T.Kawazoe、K.Kobyashi、S.Takubo、and M.Ohtsu、J.Chem.Phys.，Vol.122，No.2，January 2005，pp.024715 1-5

发明内容

发明要解决的问题

本发明正是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种受光元件的制作方法、受光元件制作装置，不需进行材料的选定，即可容易制作使对特定的波长具有敏感度的元件。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题，本申请权利要求1所述的受光元件的制作方法，该受光元件具有将P型半导体和N型半导体接合而成的PN结、和分别与所述P型半导体及N型半导体连接的各个电极，所述受光元件的制作方法的特征在于，该制作方法包括沉积工序，在对构成所述P型半导体、所述N型半导体、所述各个电极中任意一方的材料施加反向偏置电压的同时，照射波长比待沉积的材料的吸收波长长的期望波长的光而进行沉积，所述沉积工序包括：非绝热流程，在所述沉积的材料表面中形成有能够借助所述期望波长的照射光而产生近场光的局部形状的部位连续进行以下处理：通过基于在该局部形状处产生的近场光的非绝热过程对所述期望波长的照射光进行光吸收而生成电子，同时利用该生成的电子来消除在该局部形状处产生的基于所述反向偏置电压的局部电场；粒子吸附流程，在没有形成所述局部形状的部位，使在产生了基于所述反向偏置电压的局部电场的部位依次吸附构成所述材料的粒子，在经过该吸附处理而形成了所述局部形状的情况下向所述非绝热流程转移。

本申请权利要求2所述的受光元件的制作方法的特征在于，在权利要求1所述的发明中，通过持续执行所述非绝热流程和所述粒子吸附流程，在所述待沉积的材料表面上依次形成所述局部形状。

本申请权利要求3所述的受光元件的特征在于，该受光元件是利用权利要求1或2所述的制作方法制作的。