[发明专利]磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板及其制造方法、以及磁记录介质

权利要求书

1.一种磁记录介质基板用玻璃，以摩尔％表示，该玻璃含有

SiO₂      50％～75％、

Al₂O₃      0～5％、

Li₂O      0～3％、

ZnO       0～5％、

Na₂O和K₂O总共3％～15％、

MgO、CaO、SrO和BaO总共14％～35％、

ZrO₂、TiO₂、La₂O₃、Y₂O₃、Yb₂O₃、Ta₂O₅、Nb₂O₅和HfO₂总共2％～9％，

摩尔比(MgO+CaO)/(MgO+CaO+SrO+BaO)在0.85～1的范围，且摩尔比Al₂O₃/(MgO+CaO)在0～0.30的范围。

2.如权利要求1所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，所述玻璃的100℃～300℃的平均线膨胀系数为70×10^-7/℃以上，玻璃化转变温度为630℃以上，且杨氏模量为80GPa以上。

3.如权利要求1或2所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，所述玻璃的比弹性模量为30MNm/kg以上。

4.如权利要求1～3的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，所述玻璃的比重小于3.0。

5.如权利要求1～4的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，所述玻璃具备浸渍于恒温45℃的1.7质量％的氟硅酸水溶液的情况下的刻蚀速率为0.09μm/分钟以下的耐酸性。

6.如权利要求1～5的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，所述玻璃的液相温度为1300℃以下。

7.如权利要求1～6的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，以摩尔％表示，所述玻璃含有

SiO₂     50％～75％、

B₂O₃     0～3％、

Al₂O₃    0～5％、

Li₂O    0～3％、

Na₂O    0～5％、

K₂O     1％～10％、

MgO     1％～23％、

CaO     6％～21％、

BaO     0～5％、

ZnO     0～5％、

TiO₂    0～5％、

ZrO₂    2％～9％。

8.如权利要求1～7的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，所述玻璃的SiO₂的含量在57摩尔％～68摩尔％的范围。

9.如权利要求1～8的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，所述玻璃的Al₂O₃的含量在0.1摩尔％～4摩尔％的范围。

10.如权利要求1～9的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，所述玻璃实质上不含有Li₂O。

11.如权利要求1～10的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃，其中，所述玻璃的ZnO的含量在0～2摩尔％的范围。

12.一种磁记录介质基板，其由权利要求1～11的任一项所述的玻璃构成。

13.如权利要求12所述的磁记录介质基板，其中，所述磁记录介质基板的表面的一部分或全部具有离子交换层。