[发明专利]半导体光源

权利要求书

1.半导体光源(1)，具有至少两个平面元件(2)，其中，

-所述平面元件(2)各包括一种半导体材料(4)，所述半导体材料用于在所述半导体光源(1)工作时产生紫外或可见辐射(R)，其中，所述辐射(R)在所述平面元件(2)的各刚好一个主平面(3)上发射，

-在所述半导体光源(1)不工作时，所述平面元件(2)的反射率对于可见辐射为至少80％，

-所述平面元件(2)的平均直径(L)为至少10mm，

-所述主平面(3)相互成角(α)设置，并且彼此朝向，并且

-在所述主平面(3)之间的所述角(α)在30°和120°之间。

2.如前一项权利要求所述的半导体光源(1)，其中，所述平面元件(2)包括有机发光二极管(4)，所述有机发光二极管各覆盖所属的平面元件(2)的所述主平面(3)的至少50％。

3.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其中，由所述平面元件(2)中的第一个的所述主平面(3)发射的辐射(R)的一部分在所述平面元件(3)中的第二个的朝向所述主平面(3)的所述主平面(3)上刚好一次反射，并且紧接着所述辐射(R)的所述部分从所述半导体光源(1)中耦合输出。

4.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其中，在两个相邻的平面元件(2)之间的距离(D)在与所述角(α)的角平分线(H)垂直的方向上为所述平均直径(L)的0.15倍和0.35倍之间或者1.75倍和2.25倍之间。

5.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，与相对于角平分线(H)的辐射角有关，所述半导体光源的辐射特性具有至少一个在25°和70°之间的角度范围中的强度最大值。

6.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其中，在工作时产生的所述辐射(R)的20％和40％之间的辐射部分被发射到背离所述主平面(3)的半空间中。

7.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其中，在半导体光源(1)的俯视图中观察，辐射特性具有一个或两个对称轴线(S)，其中，辐射特性的沿着两个对称轴线(S)，或者沿着一个对称轴线(S)和与其垂直的方向的半值角(θ₅₀)彼此不同，并且其中，所述半值角(θ₅₀)是辐射强度相对于最大辐射强度下降到一半时的角。

8.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其中，所述平面元件(2)的辐射特性具有最高0.1I_max的容许误差，相互关系如下：

I(β)＝I_maxcos(β)，

其中，I_max是与方向相关的最大辐射强度，β是相对于所属的平面元件(2)的垂线的角，并且I是所属的平面元件(2)沿着通过所述角β限定的方向的辐射强度。

9.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其中，所述平面元件(2)各包括至少四个无机光电半导体芯片(5)，所述无机光电半导体芯片总共各覆盖所属的平面元件(2)的所述主平面(3)的最高5％。

10.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其中，所述平面元件(2)至少部分地分别反射可见辐射，使得所述辐射(R)的入射角等于出射角。

11.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其中，所述平面元件(2)设置为棱锥形、半球形、屋顶形和/或正方体形。

12.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其包括多个平面元件(2)，其中，在横截面中观察，所述平面元件(2)设置成锯齿形。

13.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其中，在所述半导体光源(1)的俯视图中观察，所述平面元件(2)具有彼此不同的面积。

14.如前述权利要求之一所述的半导体光源(1)，其中，所述平面元件(2)是不透辐射的。