[发明专利]半导体光源

说明书

技术领域

本发明说明了一种半导体光源。

背景技术

在文献DE 20 2008 010 884U1中说明了一种照明装置。

发明内容

待实现的目的在于，提供一种半导体光源，所述半导体光源具有可预先规定的辐射特性。

根据半导体光源的至少一个实施形式，所述半导体光源包括至少两个平面元件。在此，平面元件特别是分开的、单独的、可彼此独立地设置的和/或制成的元件，所述元件优选构造为平面的或平坦的。平面元件特别是意味着，所述平面元件的平均直径大于其平均厚度。平均直径特别是平均厚度的至少十倍，优选是所述平均厚度的至少一百倍。

根据半导体光源的至少一个实施形式，平面元件各包括用于在半导体光源工作时产生紫外或可见辐射的一种有机的或无机的半导体材料。换句话说，平面元件设置用于在工作时主动地产生可见或紫外辐射。因此，平面元件在半导体光源工作时是有源的、发射辐射的元件。

根据半导体光源的至少一个实施形式，平面元件将在工作中产生的辐射分别在刚好一个主平面上发射。也就是说，平面元件能够是在主平面上平面地，特别是完全平面地或者基本上完全平面地放射的元件。

根据半导体光源的至少一个实施形式，至少在光源不工作时，平面元件的反射率对于可见辐射为至少80％，特别是至少85％，优选至少92％。在这种情况下，反射率在平面元件的在半导体光源工作时发射辐射的整个主平面上取平均值。反射率优选在450nm至780nm的整个可见的光谱范围内大于上述值，但是至少大于超出上述光谱范围所取的平均值。在此，反射率是反射的辐射功率与入射的辐射功率的商。

根据半导体光源的至少一个实施形式，平面元件的平均直径相应地为至少10mm，优选为至少30mm。在例如具有正方形的平面形状的平面元件中，以俯视图观察，平均直径相应于平面元件的边长。如果平面元件例如构成矩形，那么平面元件的长边的和短边的边长的比优选最高为5，平均直径由边长的平均值得出。

根据半导体光源的至少一个实施形式，平面元件的主平面相互成角度地设置，并且彼此朝向。在这种情况下，主平面之间的角优选在30°和120°之间，特别是在45°和75°之间，特别优选在55°和65°之间。

在半导体光源的至少一个实施形式中，所述半导体光源包括至少两个平面元件。平面元件分别包括用于在半导体光源工作时产生紫外或者可见辐射的半导体材料。在此，在平面元件的各正好一个主平面上发射辐射。在半导体光源不工作时，平面元件的反射率对于可见辐射为至少80％。此外，平面元件具有至少10mm的平均直径。此外，平面元件的主平面相互成角度地设置，并且彼此朝向。在此，在主平面之间的角在30°和120°之间。

根据半导体光源的至少一个实施形式，由平面元件中的第一个的主平面发射的辐射的一部分射到平面元件中的第二个的主平面上，所述平面元件中的第二个的主平面朝向第一平面元件的主平面。在第二平面元件的主平面上优选进行刚好一次反射，并且紧接着辐射的相关部分从半导体光源耦合输出。换句话说，第二平面元件形成用于由第一平面元件发射的辐射的一部分的反射镜，并且反之亦然。

由于平面元件特别是相互至少部分地反射已发射的辐射，并且由于这种互相弯折的结构，半导体光源的辐射特性是可调节的。例如平面元件的主平面之间的相对于至少一个空间方向的角越小，那么相对于该至少一个空间方向的空间角范围越小，在所述空间角范围中发射辐射。

根据半导体光源的至少一个实施形式，平面元件中的至少一个的或所有平面元件的辐射特性遵从下述相互关系：

I(β)＝I_maxcos(β)。

在这种情况下，I_max是最大辐射强度，所述最大辐射强度由平面元件沿确定的方向发射，特别是沿平行于平面元件的主平面的垂线的方向发射。β是相对于主平面的垂线的角，并且I是平面元件的沿着通过角β限定的方向的辐射强度。辐射特性遵从已说明的相互关系，优选具有最高0.1I_max的容许误差或者最高0.1I_max，特别是具有最高0.05I_max的容许误差，优选最高0.02I_max的容许误差。换句话说，适用I(β)＝I_max(cos(β)±T)，其中T＝0.2或0.1或0.05或0.02。