[发明专利]弹性波元件与弹性波元件传感器无效

专利信息
申请号: 201080037249.X 申请日: 2010-08-30
公开(公告)号: CN102484466A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 后藤令;中西秀和;中村弘幸 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145;H01L41/08;H01L41/09;H01L41/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 弹性 元件 传感器
【权利要求书】:

1.一种弹性波元件,其具备:

压电体;

输入IDT电极,其设置于所述压电体之上、且使主要弹性波激励;

输出IDT电极,其设置于所述压电体之上、且接收所述主要弹性波并输出信号;

传播路径,其设置于所述输入IDT电极与所述输出IDT电极之间;和

第一电介质层,其以覆盖所述输入IDT电极及所述输出IDT电极的方式设置在所述压电体上;

所述主要弹性波在所述输入IDT电极及所述输出IDT电极成为在所述压电体与所述第一电介质层之间进行传播的弹性边界波,而在所述传播路径成为在所述传播路径的上表面进行传播的弹性表面波。

2.根据权利要求1所述的弹性波元件,其中,

所述第一电介质层具有所述波长λ的0.8倍以上的膜厚,并且在所述第一电介质层中传播的最慢的体波的速度比在所述输入IDT电极或所述输出IDT电极中传播的所述主要弹性波的速度快。

3.根据权利要求1所述的弹性波元件,其中,

所述第一电介质层包括:

电介质层A,其覆盖所述输入IDT电极与所述输出IDT电极、且由氧化硅构成;和

电介质层B,其设置于所述电介质层A之上;

在所述电介质层B中传播的最慢的体波的速度比在所述输入IDT电极中传播的主要弹性波的速度快;并且,

在所述输入IDT电极或所述输出IDT电极与所述传播路径的边界部分,所述电介质层B为覆盖所述电介质层A的侧面的构成。

4.根据权利要求1所述的弹性波元件,其中,

所述第一电介质层在所述输入IDT电极或所述输出IDT电极与所述传播路径的边界部分具有向下方扩展的锥状部。

5.根据权利要求1所述的弹性波元件,其中,

所述第一电介质层设置在所述输入IDT电极、所述输出IDT电极与所述传播路径之上。

6.一种弹性波元件传感器,其具备:

压电体;

输入IDT电极,其设置于所述压电体之上、且使主要弹性波激励;

输出IDT电极,其设置于所述压电体之上、且接收所述主要弹性波并输出信号;

传播路径,其设置于所述输入IDT电极与所述输出IDT电极之间;

第一电介质层,其以覆盖所述输入IDT电极及所述输出IDT电极的方式设置在所述压电体上;和

反应部,其设置于所述传播路径之上、且与检测对象物质或耦合物质反应,其中该耦合物质与所述检测对象物质耦合;

所述主要弹性波在所述输入IDT电极及所述输出IDT电极成为在所述压电体与所述第一电介质层之间进行传播的弹性边界波,而在所述传播路径成为在所述传播路径的上表面进行传播的弹性表面波。

7.根据权利要求6所述的弹性波元件传感器,其中,

所述反应部直接设置在所述压电体之上。

8.根据权利要求6所述的弹性波元件传感器,其中,

在所述第一电介质层中传播的最慢的体波的速度比在所述输入IDT电极或所述输出IDT电极中传播的所述主要弹性波的速度慢;并且,

所述反应膜设置在第二电介质层之上,该第二电介质层设置于所述传播路径、且为所述波长的0.4倍以下。

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