[发明专利]弹性波元件与弹性波元件传感器

说明书

技术领域

本发明涉及弹性波元件与弹性波元件传感器。

背景技术

利用图10对以往的弹性波元件进行说明。图10是以往的弹性波元件的剖视图。弹性波元件1由压电体2、设置于该压电体2上且使波长λ的主要弹性波激励的IDT电极3、以覆盖IDT电极3的方式设置在压电体2之上的电介质层4、设置于该电介质层4之上的接触层5、以及设置于该接触层5之上且与检测对象物质或耦合物质反应的反应部6组成，其中该耦合物质与检测对象物质耦合。

在这种现有的弹性波元件1中，由IDT电极3激励的主要弹性波是在电介质层4的表面上进行传播的弹性表面波。然而，因为电介质层4薄到在电介质层4的表面上分布能量的程度，所以在使用弹性波元件1时或者制造过程中，存在IDT电极3因为外部的主要原因而受到损伤，从而性能劣化的问题。

另外，作为与该申请的发明相关的现有技术文献信息，例如公知专利文献1。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1：国际公开第2008/102577号

发明内容

本发明的弹性波元件构成为具备：压电体；输入IDT电极，其设置于该压电体之上、且使主要弹性波激励；输出IDT电极，其设置于压电体之上、且接收主要弹性波并输出信号；传播路径，其设置于这些输入IDT电极与输出IDT电极之间；和第一电介质层，其以覆盖输入IDT电极及输出IDT电极的方式设置在压电体上；设置在传播路径上；主要弹性波在输入IDT电极及输出IDT电极成为在压电体与第一电介质层之间进行传播的弹性边界波，而在传播路径成为在传播路径的上表面进行传播的弹性表面波。

根据该构成，在将弹性波元件用作传感器之际，或者在制造过程中，可以抑制输入IDT电极及输出IDT电极因为外部的主要原因而受到损伤，从而导致性能劣化的状况。

附图说明

图1是本发明的实施方式1中的弹性波元件的剖视图。

图2是本发明的实施方式1中的弹性波元件的能量分布图。

图3是本发明的实施方式1中的弹性波元件的其他剖视图。

图4是本发明的实施方式1中的弹性波元件的其他剖视图。

图5是本发明的实施方式1中的弹性波元件的其他剖视图。

图6是本发明的实施方式1中的弹性波元件的其他剖视图。

图7是本发明的实施方式1中的弹性波元件的其他剖视图。

图8是本发明的实施方式1中的弹性波元件的其他能量分布图。

图9是本发明的实施方式1中的弹性波元件传感器的剖视图。

图10是现有的弹性波元件的剖视图。

具体实施方式

(实施方式1)

以下参照附图对本发明实施方式1中的弹性波元件进行说明。图1是实施方式1中的弹性波元件的剖视图。

在图1中，弹性波元件7是横向型的弹性波元件，其包括：压电体8；输入IDT(Inter Digital Transducer)电极9，其设置于该压电体8之上、且使波长λ的例如SH(Shear-Horizontal)波等的主要弹性波激励；输出IDT电极10，其设置于压电体8之上、且接收主要弹性波并输出信号；以及传播路径11，其设置于这些输入IDT电极9与输出IDT电极10之间。再有，弹性波元件7还具备第一电介质层12，其按照覆盖输入IDT电极9及输出IDT电极10的方式设置在压电体8上，并且具有波长λ的0.8倍以上的膜厚。

还有，虽然图1中并未记载，但是弹性波元件7也可以具备反应部(未图示)，其设置在传播路径之上、且与检测对象物质或者耦合物质反应，其中该耦合物质与检测对象物质耦合。

压电体8由板厚为100μm～350μm左右的单结晶压电基板构成，例如是铌酸锂系、钽酸锂系、水晶或者铌酸钾系的基板。

输入IDT电极9与输出IDT电极10是标准化膜厚为0.01λ～0.12λ左右的梳状电极，例如是铝、铜、银、金、钛、钨、白金、钼或铬组成的单体金属、或者以这些金属为主要成分的合金、或者这些金属层叠而成的构成。尤其是，作为这些IDT电极9、10的材料，优选采用耐腐蚀且质量大的金。