[发明专利]半导体衬底中的通孔及导电布线层

权利要求书

1.一种用于处理半导体衬底的方法，其包括：

在半导体衬底中且穿过所述半导体衬底上的电介质形成孔口，所述孔口具有在所述电介质处敞开的第一端及在所述半导体衬底中的第二端；

在所述电介质中形成多个凹部；及

同时地将导电材料沉积到所述孔口及所述多个凹部中的至少一些凹部中；

暴露所述孔口的所述第二端处的所述导电材料；及

将焊料球附着到在所述孔口的所述第二端处的所述所暴露导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

所述半导体衬底具有第一衬底表面及第二衬底表面；

所述电介质具有第一电介质表面及与所述第一衬底表面直接接触的第二电介质表面；

形成所述孔口包含形成在所述第一电介质表面处敞开且延伸穿过所述电介质并延伸到所述半导体衬底中的孔口，所述孔口具有距所述第一电介质表面至少50微米的深度及至少5∶1的纵横比；

形成所述多个凹部包含形成从所述第一电介质表面延伸到所述电介质中的多个凹部，所述多个凹部具有距所述第一电介质表面约0.3微米到约0.5微米的深度；

同时地沉积所述导电材料包含将所述导电材料沉积到所述孔口中及所述多个凹部中的至少一些凹部中，所述导电材料具有在所述孔口中的第一部分、在所述凹部中的第二部分及延伸超过所述第一电介质表面的第三部分；且

所述方法进一步包含经由化学-机械抛光及/或电化学-机械抛光来移除所述导电材料中的至少所述第三部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中

所述半导体衬底具有第一衬底表面及第二衬底表面；

所述电介质具有第一电介质表面及与所述第一衬底表面直接接触的第二电介质表面；

形成所述孔口包含形成在所述第一电介质表面处敞开且延伸穿过所述电介质并延伸到所述半导体衬底中的孔口，所述孔口具有距所述第一电介质表面至少50微米的深度及至少5∶1的纵横比；

形成所述多个凹部包含形成从所述第一电介质表面延伸到所述电介质中的多个凹部，所述多个凹部具有距所述第一电介质表面约0.3微米到约0.5微米的深度；

同时地沉积所述导电材料包含将铜电镀到所述孔口中及所述多个凹部中的至少一些凹部中，所述铜具有在所述孔口中的第一部分、在所述凹部中的第二部分及延伸超过所述第一电介质表面的第三部分；且

所述方法进一步包含经由化学-机械抛光及/或电化学-机械抛光来移除所引入的铜的至少所述第三部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述孔口包含在形成所述多个凹部之前形成所述孔口。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述孔口包含在形成多个凹部之后形成所述孔口。

6.根据权利要求1所述的方法，其中

所述半导体衬底具有第一衬底表面及第二衬底表面；

所述电介质具有第一电介质表面及与所述第一衬底表面直接接触的第二电介质表面；

形成所述多个凹部包含形成朝所述孔口敞开的至少一个凹部；

同时地沉积所述导电材料包含将所述导电材料沉积到所述孔口及所述至少一个凹部中，所引入的导电材料具有在所述孔口中的第一部分及在所述至少一个凹部中的第二部分；且

所述导电材料的所述第一部分与所述第二部分为大体同质的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中

所述半导体衬底具有第一衬底表面及第二衬底表面；

所述电介质具有第一电介质表面及与所述第一衬底表面直接接触的第二电介质表面；

形成所述多个凹部包含形成朝所述孔口敞开的至少一个凹部；

同时地沉积所述导电材料包含将所述导电材料沉积到所述孔口及所述至少一个凹部中，所述所引入的导电材料具有在所述孔口中的第一部分及在所述至少一个凹部中的第二部分；且

所述导电材料的所述第一部分与所述第二部分为大体连续的。