[发明专利]用于制造纳米结构的电阻加热器件有效
申请号: | 201080037959.2 | 申请日: | 2010-08-27 |
公开(公告)号: | CN102484898A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 李光烈 | 申请(专利权)人: | 高丽大学校产学协力团 |
主分类号: | H05B3/10 | 分类号: | H05B3/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王玮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 纳米 结构 电阻 加热 器件 | ||
1.一种加热器件,包括:
衬底;
设置在所述衬底上的至少一个导电细长结构,所述至少一个导电细长结构包括至少一个电阻部分,所述电阻部分的电导率低于所述至少一个导电细长结构的剩余部分的电导率;以及
设置在所述至少一个导电细长结构的所述至少一个电阻部分上的至少一个导热柱。
2.根据权利要求1所述的设备,还包括:
设置在所述衬底上的绝缘层,以覆盖所述至少一个导电细长结构的表面的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述至少一个导电细长结构的所述剩余部分具有碳纳米管CNT或石墨烯。
4.根据权利要求1所述的设备,其中,所述至少一个导电细长结构的所述电阻部分具有金属碳化物。
5.根据权利要求1所述的设备,其中,所述至少一个导热柱具有氧化铝、金属碳化物或金属氧化物。
6.根据权利要求1所述的设备,其中,所述衬底具有至少一种弹性材料。
7.一种用于制造加热器件的方法,所述方法包括:
在衬底上形成至少一个导电细长结构;
在所述至少一个导电细长结构中形成至少一个电阻部分,所述电阻部分的电导率低于所述至少一个导电细长结构的剩余部分的电导率;以及
在所述至少一个导电细长结构的电阻部分上分别形成至少一个导热柱。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,形成至少一个导电细长结构的步骤包括:
在所述衬底上沉积碳纳米管CNT或石墨烯;以及
去除所述CNT或石墨烯的至少一部分,以形成所述衬底上的所述至少一个导电细长结构。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,形成至少一个导电细长结构的步骤包括:
在所述衬底上形成由导电材料制成的第一层;以及
去除所述第一层的至少一部分,以形成所述至少一个导电细长结构。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,形成至少一个导电细长结构的步骤包括:
执行液化技术,以形成所述衬底上的所述至少一个导电细长结构。
11.根据权利要求7所述的方法,其中,形成至少一个电阻部分的步骤包括:
在所述衬底上形成绝缘层,以覆盖所述至少一个导电细长结构;
去除所述绝缘层的至少一部分,以暴露其下的导电细长结构的至少一部分;以及
向所述导电细长结构的暴露部分提供至少一种化学反应物。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,分别形成至少一个导热柱的步骤包括:
在所述导电细长结构的暴露部分上沉积导热材料,以形成所述至少一个导热柱;以及
去除所述绝缘层的至少一部分,以进一步暴露所述至少一个导热柱的至少一部分。
13.根据权利要求7所述的方法,其中,所述至少一个导电细长结构的所述电阻部分由金属碳化物制成。
14.根据权利要求7所述的方法,其中,所述至少一个导热柱的材料包括氧化铝、金属碳化物或金属氧化物。
15.根据权利要求7所述的方法,还包括:以至少一种弹性材料来制造所述衬底。
16.一种用于制造纳米结构的方法,所述方法包括:
准备加热器件,其中所述加热器件包括:至少一个导电细长结构,所述至少一个导电细长结构包括至少一个电阻部分,所述电阻部分的电导率低于所述至少一个导电细长结构的剩余部分的电导率;以及分别设置在所述至少一个导电细长结构的所述电阻部分上的至少一个导热柱;以及
将所述加热器件与电源相连,以加热所述电阻部分中的至少一些以及所述至少一个导热柱。
17.根据权利要求16所述的方法,还包括:
放置被加热的导热柱与薄膜相接触,以产生所述薄膜中的至少一个热固化部分;以及
去除所述薄膜的剩余部分。
18.根据权利要求16所述的方法,还包括:
在衬底上准备至少一种纳米结构催化剂;
将被加热的导热柱放置在所述至少一种纳米结构催化剂附近,以形成至少一种液体纳米结构催化剂簇;以及
从所述至少一种液体纳米结构催化剂簇生长纳米结构。
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