[发明专利]用于制造纳米结构的电阻加热器件有效
申请号: | 201080037959.2 | 申请日: | 2010-08-27 |
公开(公告)号: | CN102484898A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 李光烈 | 申请(专利权)人: | 高丽大学校产学协力团 |
主分类号: | H05B3/10 | 分类号: | H05B3/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王玮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 纳米 结构 电阻 加热 器件 | ||
背景技术
纳米技术涉及在纳米(即,十亿分之一米)级别上操作和制造材料和器件的技术领域。具有几百纳米或更小尺寸的结构(即,纳米结构)已经引起关注,因为它们可潜在地用于创造出具有广泛应用的许多新器件,这些应用包括光、电和机械应用。可以想象的是,纳米结构可以用于制造具有期望的光、电和/或机械属性的更小、更轻和/或更强的器件。当前感兴趣的是在纳米级别上控制材料的属性和结构。已经进行了在纳米结构中操作这些材料并在更复杂的器件中装配这些纳米结构的研究。
附图说明
图1A示出了加热器件的示意性实施例的透视图。
图1B示出了图1A所示的加热器件的示意性实施例沿直线A-A’的截面图。
图1C示出了图1A所示的加热器件的示意性实施例沿直线B-B’的截面图。
图2示出了用于制造加热器件的方法的示意性实施例的示例流程图。
图3A-3F是示出了图2中所示方法的一部分的系列示意图。
图4示出了用于制造导电细长结构的方法的示意性实施例的流程图。
图5A和5B是示出了图4中所示方法的系列示意图。
图6示出了用于制造导电细长结构的方法的另一个示意性实施例的流程图。
图7A-7D是示出了图6中所示方法的系列示意图。
图8示出了使用加热器件来制造纳米点阵列的方法的示意性实施例的示例流程图。
图9A-9C是示出了图8中所示方法的一部分的系列示意图。
图10示出了使用加热器件来制造纳米线阵列的方法的示意性实施例的示例流程图。
图11A-11E是示出了图10中所示方法的一部分的系列示意图。
具体实施方式
(综述)
本公开提供了与加热器件有关的技术。在一个实施例中,加热器件可以包括:衬底;置于衬底上的至少一个导电细长结构,其包括至少一个电阻部分,该电阻部分的电导率低于至少一个导电细长结构的剩余部分的电导率;以及置于至少一个导电细长结构的至少一个电阻部分上的至少一个导热柱。
上述综述仅是示意性的,并非旨在以任何方式进行限制。除了上文描述的示意性方面、实施例和特征之外,通过参考附图和以下详细描述,其他方面、实施例和特征将会变得更加明显。
在以下详细描述中,参考形成该描述一部分的附图。在附图中,类似符号通常表示类似部件,除非上下文另行指明。具体实施方式部分、附图和权利要求书中记载的示例性实施例并不是限制性的。在不脱离在此所呈现主题的精神或范围的情况下,可以利用其他实施例,且可以进行其他改变。应当理解,在此一般性记载以及附图中图示的本公开的各方案可以按照在此明确和隐含公开的多种不同配置来设置、替换、组合、分割和设计。
小规模的结构(例如纳米结构)可用于创造出具有广泛应用的许多新器件,但由于其尺寸小而难以制造。本公开中描述的技术采用了一种新颖的加热器件,向分离的纳米尺寸区域进行局部加热。这种局部加热操作在各种纳米结构(例如纳米点阵列和纳米线阵列)的制造中具有广阔应用。
图1A示出了加热器件的示意性实施例的透视图。图1B示出了图1A所示的加热器件的示意性实施例沿直线A-A’的截面图。图1C示出了图1A所示的加热器件的示意性实施例沿直线B-B’的截面图。
参考图1A-1C,加热器件100可以包括衬底110、位于衬底110上的多个导电细长结构120a-120c(下文统一称为导电细长结构120)以及分别位于导电细长结构120a-120c上的多个导热柱130a-130c(下文统一称作导热柱130)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高丽大学校产学协力团,未经高丽大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080037959.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。