[发明专利]无光饰面聚酰亚胺膜及其相关方法有效
申请号: | 201080038585.6 | 申请日: | 2010-08-03 |
公开(公告)号: | CN102482418A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | T·E·卡内;J·M·巴尔托灵;M·L·邓巴 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;C08J5/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无光 聚酰亚胺 及其 相关 方法 | ||
发明领域
本发明一般涉及无光饰面基膜,其可用于表护层应用并且具有有利的介电特性和光学特性。更具体地讲,本发明的无光饰面基膜在通过化学(与热相对)转化方法来亚胺化的聚酰亚胺膜中包含相对低浓度的颜料和消光剂。
发明背景
从广义上讲,表护层被称为阻挡膜,其用于保护电子材料,例如保护柔性印刷电路板、电子元件、集成电路封装件的引线框架等。然而,需要表护层越来越薄,成本越来越低,同时需要表护层不仅具有可接受的电特性(例如介电强度),还具有可接受的结构特性和光学特性,以防止对由表护层保护的电子元件进行不想要的目视检查和篡改。
发明概述
本发明涉及基膜。该基膜包含化学转化的聚酰亚胺,所述聚酰亚胺的量为基膜的71至96重量%。化学转化的聚酰亚胺衍生自:i.基于聚酰亚胺的总二酐含量至少50摩尔%的芳族二酐,以及ii.基于聚酰亚胺的总二胺含量至少50摩尔%的芳族二胺。该基膜还包含:以基膜的2至9重量%的量存在的低电导率炭黑;以及消光剂,所述消光剂
a.以基膜的1.6至10重量%的量存在,
b.具有1.3至10微米的中值粒度,以及
c.具有2至4.5g/cc的密度。
在一个实施方案中,基膜具有:i.8至152微米的厚度;ii.2至35的60度光泽度值;iii.大于或等于2的光密度;以及iv.大于1400V/mil的介电强度。本发明还涉及表护层薄膜,其包括与粘合剂层结合的基膜。
发明详述
定义
如本文所用,术语“包含”、“包括”、“具有”或它们的任何其它变型均旨在涵盖非排他性的包括。例如,包括要素列表的方法、工艺、制品或设备不必仅仅限于那些要素而是可包括未明确列出的或此类方法、工艺、制品或设备固有的其它要素。此外,除非明确指明相反,“或”是指包含性的“或”而不是指排他性的“或”。例如,以下任何一种情况均满足条件A或B:A是真实的(或存在的)且B是虚假的(或不存在的),A是虚假的(或不存在的)且B是真实的(或存在的),以及A和B都是真实的(或存在的)。
另外,使用“一个”或“一种”来描述本发明的元件和组件。这样做仅仅是为了方便并且给出本发明的一般含义。这种描述应被理解为包括一个或至少一个,并且该单数也包括复数,除非很明显地另指他意。
如本文所用,“二酐”旨在包括其前体或衍生物,严格地讲,它们可能并不是二酐,但仍然可以与二胺反应以形成聚酰胺酸,聚酰胺酸可继而被转化为聚酰亚胺。
如本文所用,“二胺”旨在包括其前体或衍生物,严格地讲,它们可能并不是二胺,但仍然可以与二酐反应以形成聚酰胺酸,聚酰胺酸可继而被转化为聚酰亚胺。
如本文所用,“聚酰胺酸”旨在包括衍生自二酐和二胺单体的组合或它们的功能等同物并能够通过化学转化方法转化成聚酰亚胺的任何聚酰亚胺前体材料。
如本文所用,“预聚物”旨在表示相对低分子量的聚酰胺酸溶液,其使用化学计量过量的二胺来制备以便赋予为约50-100泊的溶液粘度。
如本文所用,“化学转化”或“化学转化的”是指用催化剂(促进剂)或脱水剂(或两者)将聚酰胺酸转化成聚酰亚胺,并且旨在包括部分地化学转化的聚酰亚胺,然后可在高温下将其干燥成固含量大于98%。
本文中的“最终溶液”是指溶于极性非质子溶剂中的二酐,其被加入到预聚物溶液中以提高分子量和粘度。所用的二酐通常与用于制备预聚物的二酐相同(或当使用多于一种的二酐时,与其中的一种相同)。
当数量、浓度或其它值或参数以范围、优选范围或优选上限值和优选下限值的列表形式给出时,其应理解为具体地公开由任何范围上限或优选值和任何范围下限或优选值的任何一对所构成的所有范围,而不论所述范围是否被单独地公开。除非另外指出,凡在本文中给出某一数值范围之处,该范围均旨在包括其端点,以及位于该范围内的所有整数和分数。当定义一个范围时,不旨在将本发明的范围限定于所列举的具体值。
在描述某些聚合物时,应当理解,有时申请人提及聚合物时使用的是用来制成它们的单体或用来制成它们的单体的量。尽管这样的描述可能不包括用于描述最终聚合物的具体命名或者可能不含以方法限定物品的术语,但是对单体和量的任何此类提及应被解释为是指聚合物由那些单体制成,除非上下文中另外指明或暗示。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司,未经E.I.内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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