[发明专利]半导体装置及半导体装置供电方法有效
| 申请号： | 201080038905.8 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102484098A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 村桥俊一;中原道弘;丸山敦;野野村哉 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/60;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吕琳;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 供电 方法 | ||
1.一种半导体装置，含有安装在基板上的半导体元件，该半导体装置的特征在于：
所述半导体元件包含多个输出单元、以及向所有所述输出单元的各结构要件分别供电的电源布线；
所述基板具备分流布线；
针对所述电源布线中的至少一根电源布线，所述分流布线上具有与连接在该电源布线上的几乎所有输出单元的结构要件分别对应的连接端子。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述输出单元包含输出缓冲器；
所述连接端子配置在与所述输出缓冲器的电源相连的电源布线上。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
所述输出缓冲器是运算放大器。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
所述连接端子配置在所述运算放大器的最后输出级的电源布线上。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体元件是显示装置的驱动用集成电路。
6.一种半导体装置供电方法，用以向半导体装置供电，所述半导体装置含有安装在基板上的半导体元件，
该半导体装置供电方法的特征在于：
所述半导体元件包含多个输出单元、以及向所有所述输出单元的各结构要件分别供电的电源布线；
所述基板具备分流布线；
针对所述电源布线中的至少一根电源布线，向连接在该电源布线上的几乎所有输出单元的各结构要件连接所述分流布线，由此经由所述分流布线来向各所述结构要件供电。
7.根据权利要求6所述的半导体装置供电方法，其特征在于：
所述输出单元具备输出缓冲器；
所述连接端子配置在与所述输出缓冲器的电源相连的电源布线上。
8.根据权利要求7所述的半导体装置供电方法，其特征在于：
所述输出缓冲器是运算放大器。
9.根据权利要求8所述的半导体装置供电方法，其特征在于：
所述连接端子配置在所述运算放大器的最后输出级的电源布线上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
