[发明专利]溅射装置无效
申请号: | 201080038999.9 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN102575338A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 石川拓;小野裕司;林辉幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射 装置 | ||
1.一种溅射装置,其用于对配置在溅射空间的侧方的基板进行溅射处理,该溅射空间形成在相对配置的一对靶材之间,其中,
该溅射装置包括:
用于对上述一对靶材施加电压的电源;
用于向上述溅射空间中供给非活性气体的气体供给部;
配置在上述溅射空间和上述基板之间的遮光机构。
2.根据权利要求1所述的溅射装置,其中,
上述遮光机构包括:
遮光体,其用于在上述溅射空间和上述基板之间将光反射或者将光吸收;
遮挡构件,其以在其与上述遮光体之间形成使溅射粒子朝向上述基板通过的通路的方式配置,用于使溅射粒子不扩散。
3.根据权利要求2所述的溅射装置,其中,
上述基板、上述遮光体、上述遮蔽构件、上述溅射空间是这样的配置关系:由于被上述遮光体和上述遮挡构件遮挡而从上述基板看来不能看到上述溅射空间。
4.根据权利要求1所述的溅射装置,其中,
上述电源是用于对上述一对靶材施加彼此反相位的交流电压的交流电源。
5.根据权利要求4所述的溅射装置,其中,
上述交流电源的频率为20kHz~100kHz。
6.根据权利要求1所述的溅射装置,其中,
该溅射装置包括用于在上述溅射空间中产生与上述靶材垂直的方向的磁场的磁性体。
7.根据权利要求2所述的溅射装置,其中,
上述遮光体包括用于供给含有氧分子的气体的氧气供给部。
8.根据权利要求2所述的溅射装置,其中,
上述遮光体的与上述溅射空间相对的顶端形成为锥形状。
9.根据权利要求8所述的溅射装置,其中,
上述通路沿着上述遮光体侧部的两个边弯曲地形成。
10.根据权利要求1所述的溅射装置,其中,
上述靶材是铝、银、ITO或者透明导电性物质。
11.根据权利要求2所述的溅射装置,其中,
上述遮光体由黑色耐酸铝或者铝构成。
12.根据权利要求2所述的溅射装置,其中,
上述遮挡构件由石英构成。
13.根据权利要求2所述的溅射装置,其中,
在上述遮光体及/或上述遮挡构件上连接有用于施加可变电位的可变电位输出电源。
14.根据权利要求2所述的溅射装置,其中,
该溅射装置设有用于将上述遮光体及/或上述遮挡构件加热的加热器。
15.根据权利要求14所述的溅射装置,其中,
碳片介于上述遮光体与上述加热器的接触部及/或碳片介于上述遮挡构件与上述加热器的接触部。
16.根据权利要求14所述的溅射装置,其中,
上述遮光体及上述遮挡构件由不锈钢、铜、镍、铝中的任一种构成。
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