[发明专利]溅射装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种溅射装置。

背景技术

以往，广为周知利用溅射法形成各种金属膜、金属化合物膜的做法，提出有用于形成溅射膜的各种溅射方式、溅射装置。

例如在专利文献1中公开有一种在相对的两个靶材(target)上设置有用于施加彼此错开180度相位的交流电压的交流电源的溅射装置(相对靶材型溅射装置：FTS)。图1是表示设置有以往的交流电源的溅射装置100的一例的剖视概略图。另外，溅射装置100通常设置在能够进行抽真空的壳体内部，但在图1中省略了该壳体。

如图1所示，在该溅射装置100中相对配置有两个由例如铝(Al)、银(Ag)构成的靶材105、106。呈交流电源110经由电路107电连接在靶材105、106上、从而对各靶材105、106施加有错开180度相位的交流电压的状态。另外，磁铁112、113以互不相同的磁极相对的方式配置在靶材105、106的两端部。而且，在作为上述靶材105、106之间的空间的溅射空间115中产生与靶材105、106垂直的方向的磁场。另外，在溅射空间115的侧方配置有作为溅射膜的制作对象的基板G。另外，基板G保持于未图示的基板保持构件，能够适当地移动。

在溅射空间115的侧方且未配置基板G的一侧配置有用于供给例如氩等非活性气体、并根据需要向溅射空间115中供给氧、氮的气体供给部117。

在像以上说明的那样构成的以往的溅射装置100中，利用交流电场在溅射空间115中产生等离子体，利用产生的磁场将等离子体束缚在靶材105、106之间。如下述这样进行溅射：利用该产生的等离子体将从气体供给部117供给来的非活性气体离子化，由于该离子化的非活性气体的离子冲撞于靶材106(105)而弹飞的靶材物质在基板G上成膜。

专利文献1：日本特开平11-29860号公报

但是，在采用上述的结构的以往的溅射装置100中，例如，在对已经形成有有机薄膜的基板G进行溅射处理的情况下，存在这样的问题：由于随着在溅射空间115中产生等离子体而产生光，短波长的紫外线等自溅射空间115泄漏而照射到有机薄膜上，对有机薄膜产生不良影响。可认为其原因在于，特别是在靶材105、106是银、铝的情况下，短波长的例如紫外线会切断有机薄膜的有机分子的结合，因此，有机薄膜的特性会发生劣化。

发明内容

因此，鉴于上述问题点，本发明提供一种在对自溅射空间向作为溅射处理对象的形成有有机薄膜的基板的光进行遮挡而防止有机薄膜特性劣化的状态下进行溅射处理的溅射装置。

采用本发明，提供一种溅射装置，该溅射装置用于对配置在溅射空间的侧方的基板进行溅射处理，该溅射空间形成在相对配置的一对靶材之间，其中，该溅射装置包括用于对上述一对靶材施加电压的电源、用于向上述溅射空间中供给非活性气体的气体供给部、配置在上述溅射空间和上述基板之间的遮光机构。

采用本发明，能够提供一种在对自溅射空间向作为溅射处理对象的形成有有机薄膜的基板的光进行遮挡而防止有机薄膜特性劣化的状态下进行溅射处理的溅射装置。

附图说明

图1是以往的溅射装置的剖视概略图。

图2是溅射装置的剖视概略图。

图3是遮光机构的放大图。

图4是本发明的第1变形例的遮光机构的说明图。

图5是本发明的第2变形例的遮光机构的说明图。

图6的(a)、图6的(b)是本发明的第3变形例的遮光机构的说明图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式。另外，在本说明书及附图中，通过对实质上具有相同的功能结构的构成要件标注相同的附图标记而省略重复说明。

图2是用于对本发明的实施方式的基板G进行溅射处理的溅射装置1的剖视概略图。在此，溅射装置1设置在未图示的能够进行抽真空的壳体内部。在溅射装置1中，相对配置有由例如铝(Al)、银(Ag)、ITO或者透明导电性物质构成的一对靶材10、11。另外，用于施加彼此反相位的交流电压的交流电源15经由电路16连接在一对靶材10、11上。在此，交流电源15的频率为例如20kHz～100kHz，反相位的交流电压为例如彼此错开180度相位的交流电压。磁性体17、18(磁铁)以互不相同的磁极相对的方式分别安装在一对靶材10、11的各端部，靶材10和靶材11之间的溅射空间20中产生与靶材10、11垂直的方向的磁场B。