[发明专利]用于制造集成电路的方法和产生的膜芯片

权利要求书

1.用于制造集成电路的方法，所述方法具有如下步骤：

-提供具有第一表面延伸(16)的半导体衬底(12)，

-借助光刻工艺步骤在所述半导体衬底(12)中产生电路结构(14)，

-提供柔性的第一膜件(18)，所述第一膜件具有大于所述第一表面延伸(16)的第二表面延伸(20)，并且在所述表面延伸中具有凹槽(22)，

-将所述半导体衬底(12)设置在所述凹槽(22)中，以及

-借助光刻工艺步骤在所述半导体衬底(12)和所述柔性的第一膜件(18)上产生由导电材料组成的结构化的层(36)，其中所述结构化层(36)从所述半导体衬底(12)延伸至所述柔性的第一膜件(18)并且形成在所述半导体衬底和所述第一膜件(18)之间的多个导电接触轨(38，40)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底(12)具有第一衬底表面(26；32)，其中所述柔性的膜件(18)具有第一膜件表面(28)，并且其中所述第一衬底表面(26；32)和所述第一膜件表面(28)平面平行地定向。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一衬底表面(26；32)和所述第一膜件表面(28)共同设置在平坦的保持体(24)上，以便将所述第一衬底表面(26；32)和所述第一膜件表面(28)平面平行地定向。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述保持体(24)作为运输体保留在所述半导体衬底(12)和所述柔性膜件(18)上。

5.根据权利要求2至4之一所述的方法，其中所述半导体衬底(12)具有第二衬底表面(32；26)，所述第二衬底表面近似平行于所述第一衬底表面(26；32)，其中所述柔性膜件(18)具有近似平行于所述第一膜件表面(28)的第二膜件表面(34)，并且其中所述第二衬底表面(32；26)和所述第二膜件表面(34)借助浇注材料(30)，尤其借助聚合物材料来浇注成组合的膜芯片(10)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述半导体衬底(12)和所述膜件(18)与所述浇注材料(30)一起从所述共同的保持体(24)剥离，以便在所述第一衬底表面(32)和所述第一膜件表面(28)之上产生所述导电层(36)。

7.根据权利要求5所述的方法，其中产生穿过所述浇注材料(30)延伸至所述半导体衬底(12)的接触孔(42)，并且其中所述接触孔(42)以导电材料、优选是金属来填充，以便将所述半导体衬底(12)和所述导电层(36)连接。

8.根据权利要求5至7之一所述的方法，其中提供具有显著地大于所述第二表面延伸(20)的第三表面延伸(48)的另一柔性膜件(46)，其中将所述膜芯片(10)固定在所述另一膜件(46)上，并且其中所述结构化层(36)与构成在所述另一柔性膜件(46)上的其他带状导线(56，58)接触。

9.根据权利要求8所述的方法，其中借助于厚膜工艺步骤在所述另一膜件(46)上产生所述其他带状导线(56，58)。

10.根据权利要求5至9之一所述的方法，其中所述半导体衬底(12)在所述膜芯片(10)中完全被所述浇注材料(30)围绕。

11.根据权利要求1至10之一所述的方法，其中所述结构化层(36)形成扇状的接触轨(38，40)，所述接触轨从所述半导体衬底(12)径向向外延伸并且径向地从内部向外部展宽。

12.根据权利要求1至11之一所述的方法，其中所述柔性的第一膜件(18)是聚合物薄膜。

13.具有的集成电路(14)的膜芯片，所述膜芯片具有：带有第一表面延伸(16)的半导体衬底(12)，在所述半导体衬底中借助光刻工艺步骤产生电路结构(14)；带有第二表面延伸(20)的柔性膜件(18)，所述第二表面延伸大于所述第一表面延伸(16)；以及在所述第二表面延伸(20)中的凹槽(22)，其中将所述半导体衬底(12)设置在所述凹槽(22)中；以及在所述半导体衬底(12)和所述膜件(18)之上的由导电材料组成的结构化层(36)，所述结构化层从所述半导体衬底(12)延伸至所述膜件(18)并且形成在所述半导体衬底(12)和所述膜件(18)之间的多个导电的接触轨(38，40)，其中所述结构化层(36)借助光刻工艺步骤来产生。