[发明专利]化学气相沉积反应器

权利要求书

1.一种反应器，尤其是化学气相沉积反应器，该反应器带有布置在反应器壳体内的可加热的主体(2，3)，带有与主体(2，3)间隔的用于加热所述主体(2，3)的加热装置(4，17)，以及带有与主体(2，3)间隔的冷却装置(5，18)，该冷却装置这样布置，使得从加热装置(4，17)经由加热装置(4，17)和主体(2，3)之间的间隙向主体(2，3)传递热量并且从主体(2，3)经由主体(2，3)和冷却装置(5，18)之间的间隙向冷却装置(5，18)传递热量，其特征在于一个或多个可置于冷却/或加热装置(4，5，17，18)之间的间隙中的调节体(6，19)，用于局部影响热量输送。

2.如权利要求1或尤其是如下所述的反应器，其特征在于，在可加热的主体(2，3)和冷却装置(5，18)之间的间隙包含气体，该气体具有第一热导率，并且调节体(6，19)具有第二热导率，该第二热导率与第一热导率不同并且尤其是更大，优选至少是两倍或五倍。

3.如前述权利要求中的一项或多项或尤其是如下所述的反应器，其特征在于，可加热的主体(2，3)由形成工艺腔室(1)的第一壁的、用于承接要热处理的基体的承受器(2)构成或者由工艺腔室(1)的与所述承受器(2)有间距地相对置第二壁(3)构成。

4.如前述权利要求中的一项或多项或尤其是如下所述的反应器，其特征在于，所述调节体(6，19)可从该调节体位于工艺腔室(1)的基本轮廓之外的不作用位置移动到在工艺腔室(1)的基本轮廓内的间隙中的作用位置，或者在间隙中在工艺腔室(1)的基本轮廓内部的两个作用位置之间移动。

5.如前述权利要求中的一项或多项或尤其是如下所述的反应器，其特征在于，所述加热装置(4，17)由射频线圈构成，而冷却装置由所述射频线圈中的冷却通道(5，18)构成。

6.如前述权利要求中的一项或多项或尤其是如下所述的反应器，其特征在于，所述射频线圈(4)螺旋状地布置于延伸在一个水平面内的承接器(2)的下方的一个平面中，并且至少一个所述调节体(6)以可移动的方式布置在承接器(2)和射频线圈(4)之间的与该平面平行的一个平面中。

7.如前述权利要求中的一项或多项或尤其是如下所述的反应器，其特征在于，所述射频线圈(17)螺旋状地布置于延伸在一个水平面内的、与承接器(2)相对置的工艺腔室盖(3)的上方的一个平面中，并且至少一个所述调节体(6)以可移动的方式布置在所述工艺腔室盖(3)和射频线圈(17)之间的与该平面平行的一个平面中。

8.如前述权利要求中的一项或多项或尤其是如下所述的反应器，其特征在于，所述调节体(6，19)是电绝缘体并且尤其由石英制成。

9.如前述权利要求中的一项或多项或尤其是如下所述的反应器，其特征在于，所述调节体(6，19)的朝向可加热的主体(2，3)或朝向加热装置(4，17)的表面(6’，6”，19’，19”)是反射的。

10.一种用于对反应器的工艺腔室中的基体进行热处理的方法，该工艺腔室由第一和第二壁(2，3)构成，所述方法尤其用于在化学气相沉积反应器中沉积层，其中，所述基体贴靠在构成过程腔(1)的第一壁的承受器(2)上，其中，至少一个壁(2，3)由与该壁(2，3)间隔的加热装置(4，19)加热到工艺温度，并且，至少一个被加热的所述壁(2，3)配设有与之间隔的冷却装置，该冷却装置这样布置，使得从加热装置(4，17)经由加热装置(4，17)和被加热的工艺腔室壁(2，3)之间的间隙向工艺腔室壁(2，3)传递热量并且从加热的工艺腔室壁(2，3)经由被加热的工艺腔室壁(2，3)和冷却装置(5，18)之间的间隙向冷却装置(5，18)传递热量，其特征在于，在热处理过程中和/或在时间上相继的处理步骤之间，这样地移动一个或多个可置于冷却/或加热装置(4，5，17，18)之间的间隙中的调节体(6，19)，使得热传输被局部地影响，以局部地影响被加热的壁(2，3)的朝向工艺腔室(1)的表面的温度。

11.如权利要求10或尤其是如下所述的方法，其特征在于，在由第一壁构成的承受器(2)或由第二壁构成的工艺腔室盖(3)和配属于相应的壁的冷却装置(5，18)之间的间隙中存在具有第一热导率的气体，而调节体(6，19)具有第二热导率，该第二热导率与第一热导率相差至少一个倍数(2)。