[发明专利]化学气相沉积反应器

说明书

技术领域

本发明涉及一种反应器，尤其是化学气相沉积反应器，该化学气相沉积反应器带有布置在反应器壳体内的可加热的主体，带有与主体间隔的、用于加热主体的加热装置，以及带有与主体间隔的冷却装置，该冷却装置这样布置，使得从加热装置经由加热装置和主体之间的间隙向主体传递热量并且从主体经由主体和冷却装置之间的间隙向冷却装置传递热量。

本发明还涉及一种用于对反应器的工艺腔室中的基体进行热处理的方法，该工艺腔室由第一和第二壁构成，所述方法尤其用于在化学气相沉积反应器中沉积层，其中，基体贴靠在构成工艺腔室的第一壁的承受器上，其中，至少一个壁由与该壁间隔的加热装置加热到工艺温度，并且，为至少一个被加热的所述壁配设有与之间隔的冷却装置，该冷却装置这样布置，使得从加热装置经由加热装置和被加热的工艺腔室壁之间的间隙向工艺腔室壁传递热量并且从被加热的工艺腔室经由被加热的工艺腔室壁和冷却装置之间的间隙向冷却装置传递热量。

背景技术

DE10043601A1记载了同类的反应器。在此所述的反应器具有外壁，通过该外壁将反应器壳体的内腔气密地与外部环境隔离。工艺腔室位于反应器壳体内部，该工艺腔室在下方由承受器限定边界，并且在上方由工艺腔室盖限定边界。承受器和工艺腔室由石墨制成并且由高频交变场加热。相应的射频(RF)加热装置位于承受器的下方或工艺腔室盖的上方，并且分别具有一个螺旋状线圈的形状。线圈主体由空心体构成。空心体被成型为螺旋体。冷却介质流过空心体，因此加热装置同时也是冷却装置。由射频线圈产生的交变场在承受器或工艺腔室盖中产生涡流，从而加热承受器或工艺腔室盖。

在DE10320597A1，DE102006018515A1和DE102005056320A1中记载了类似的反应器。

DE102005055252A1中同样描述了同类的装置，其中，在布置在工艺腔室中的承受器下方设置由石英制成的支承板，该承受器由石墨制成并且同样由流过冷却剂的射频线圈加热。被围绕中心轴线旋转驱动的承受器在气垫上在该石英板上导引。通过在承受器底侧和石英板上侧之间的分隔缝中延伸的通道向驱动机构供应驱动气体，以便旋转驱动插入在布置于承受器上侧内的兜孔中的基体保持件。在此，由冷却剂流过的射频线圈与承受器间隔一各间隙。

US5516283A记载了一种用于多个圆盘状的基体的处理装置，其中，在以一间距相互堆叠的基体之间设置有热传递体。

DE19880398B4描述了一种用于基体的温度测量装置，其中，由插入包套件内的温度传感器测量基体底侧上的温度。

US6228173B1记载了一种用于对半导体基体进行热处理的热处理装置。用于反射热辐射的环形热补偿件位于工作台下方。

US2005/0178335A涉及一种温度调节装置，为此，在被加热的承受器和冷却器之间的间隙中导引有传热的气体。

存在这样的技术需求，即，局部影响对被加热的工艺腔室壁的加热。迄今，为此局部改变加热功率。由于高频(HF)交变场的复杂性及其与边界条件和功率的相关性，因而结果不能让人满意。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种装置，通过该装置可以能重现地局部影响被加热的工艺腔室壁的表面温度。

该技术问题通过在权利要求中给出的发明解决，其中，从属权利要求不仅是独立权利要求有利的扩展设计方案，而是也分别是该技术问题独立的解决方案。

首先并且基本上设计为，可将一个或多个调节体置入被加热的壁和冷却/或加热装置之间的间隙中。调节体可以在处理过程中或在两个相继的处理过程之间移动，以便由此实现承受器表面上的局部温度改变。

本发明基于这样的认知，即，在(如在DE102005055252A1中所述的)化学气相沉积反应器中，大约10％至30％的从射频(RF)加热装置向承受器或被加热的工艺腔室盖传递的功率作为热传导或热辐射再次回输到冷却装置中，亦即由冷却剂流过的加热螺旋体中。通过调节体应当介入该热回输路径。