[发明专利]有源矩阵基板和有源矩阵型显示装置有效
申请号: | 201080039896.4 | 申请日: | 2010-05-21 |
公开(公告)号: | CN102483889A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 菊池哲郎;田中信也;岛田纯也;山崎周郎 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G02F1/1368;H01L51/50 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 显示装置 | ||
1.一种有源矩阵基板,其特征在于,
具备绝缘基板,
上述绝缘基板具有显示区域,并且具有周边区域,
在上述显示区域中具备多个像素TFT元件和反射像素电极,
上述周边区域是设有用于驱动上述像素TFT元件的多个驱动TFT元件的上述显示区域的周边的区域,
在上述周边区域中,还具备:支配线,其与上述驱动TFT元件电连接;和第1干配线,其与上述支配线电连接,用于输入来自外部的信号,
在上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件中,具备栅极电极层、源极和漏极电极层,
作为形成上述反射像素电极的层的反射像素电极层是与上述栅极电极层、上述源极和漏极电极层不同的层,
在上述周边区域中,形成有第2干配线,上述第2干配线是沿着上述第1干配线的长度方向形成的配线,
上述第1干配线、上述第2干配线以及上述支配线分别形成在从上述栅极电极层、上述源极和漏极电极层、上述反射像素电极层中选择的不同的层。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于,
上述第2干配线以在俯视时至少其一部分与上述第1干配线重叠的方式形成。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于,
上述第2干配线与上述第1干配线电连接。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,
上述支配线与以下任一个电极层形成在同一层:上述栅极电极层、上述源极和漏极电极层;
上述第1干配线与以下电极层形成在同一层:与上述栅极电极层、上述源极和漏极电极层中的形成上述支配线的电极层不同的电极层;
上述第2干配线与上述反射像素电极层形成在同一层。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,
上述像素TFT元件还电连接着透明像素电极,
上述第1干配线及上述第2干配线与上述支配线由连接导体电连接,上述连接导体与上述透明像素电极形成在同一层。
6.根据权利要求2所述的有源矩阵基板,其特征在于,
上述第1干配线和上述第2干配线,
各自的与长度方向垂直的方向的线宽以及各自的长度方向的长度相同,
上述第1干配线与上述第2干配线在俯视时双方的主要部分重叠。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,
将上述第1干配线或上述第2干配线与上述驱动TFT元件电连接的支配线的至少1根形成在上述反射像素电极层。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,
将上述驱动TFT元件彼此电连接的配线的至少1根形成在上述反射像素电极层。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,
在上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件中具备非晶半导体层。
10.一种有源矩阵型显示装置,其特征在于,
具备权利要求1至9中的任一项所述的有源矩阵基板。
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