[发明专利]基板处理装置的运行方法

权利要求书

1.一种基板处理装置的运行方法，其为具有真空槽、对所述真空槽内进行真空排气的真空排气部、向所述真空槽内供给气体的气体供给部、对等离子体生成装置施加电压以产生所述真空槽内的气体的等离子体的等离子体生成部，使等离子体与配置于所述真空槽内的基板接触而对所述基板进行处理的基板处理装置的运行方法，其具有以下工序：向所述真空槽内供给稀有气体、对所述等离子体生成装置施加电压以产生所述稀有气体的等离子体的等离子体点火工序；和向所述真空槽内供给反应气体、使所述反应气体与所述稀有气体的等离子体接触以产生所述反应气体的等离子体，使所述反应气体的等离子体与基板接触而对所述基板进行处理的等离子体处理工序。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置的运行方法，其中所述等离子体点火工序中的等离子体生成时的所述真空槽内的压力高于所述等离子体处理工序中的基板处理开始时的所述真空槽内的压力。

3.根据权利要求1或2任一项所述的基板处理装置的运行方法，其中所述等离子体点火工序中的等离子体生成时所述稀有气体向所述真空槽内的供给流量大于所述等离子体处理工序中的基板处理开始时所述稀有气体向所述真空槽内的供给流量。

4.根据权利要求1至3任一项所述的基板处理装置的运行方法，其中所述稀有气体含有选自由He、Ne、Ar、Kr和Xe构成的组中的任1种气体。

5.根据权利要求1至4任一项所述的基板处理装置的运行方法，其中所述等离子体处理工序中使所述反应气体的等离子体与所述基板接触而对所述基板进行蚀刻。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置的运行方法，其中所述基板具有由导电性材料构成的电极膜和由铁电体构成的铁电体膜，所述等离子体处理工序中使所述反应气体的等离子体与所述基板接触、对所述电极膜或所述铁电体膜的任一者或两者进行蚀刻。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置的运行方法，其中所述电极膜含有选自由Pt、Ir、IrO₂、SrRuO₃构成的导电性材料的组中的至少1种导电性材料。

8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置的运行方法，其中所述铁电体膜含有选自由钛酸钡（BaTiO₃）、钛酸铅（PbTiO₃）、钛酸铋镧（（Bi，La）₄Ti₃O₁₂：BLT）、钛锆酸铅（Pb（Zr，Ti）O₃：PZT）、钛锆酸镧铅（（PbLa）（ZrTi）O₃：PLZT）和钛酸铋锶（SrBi₂Ta₂O₃：SBT）构成的组中的任1种铁电体。

9.根据权利要求5至8任一项所述的基板处理装置的运行方法，其中所述反应气体含有在化学结构中含有选自由氟、氯、溴和碘构成的组中的任1种卤素元素的气体。

10.根据权利要求5至9任一项所述的基板处理装置的运行方法，其中所述等离子体处理工序中的所述基板处理中将所述基板加热或冷却至250℃以上的温度。