[发明专利]基板处理装置的运行方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置的运行方法。

背景技术

目前，在传感器、传动装置、发信器、RF滤波器等中被开发、实用化的压电元件、或是作为各种IC卡、个人数字助理等非易失性存储器而被利用的铁电体存储器（FeRAM）均具有贵金属电极夹持铁电体薄膜的结构。

在铁电体薄膜或贵金属电极的微细加工中使用利用等离子体的干式蚀刻方法，铁电体薄膜或贵金属电极被称作难蚀刻材料，缺乏与卤素气体（等离子体）的反应性、且由于它们的卤化物的蒸气压低，因而蚀刻产物不会作为气体排出而易于附着在腔室的内壁上。

等离子体中的离子与附着物接触时则发生反应，附着物从腔室的内壁被剥离，产生颗粒。所产生的颗粒附着在处理基板上、成为降低设备合格率的原因。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8－269445号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明人着眼于刚生成后的等离子体不稳定时，等离子体中的离子与附着物发生反应、引起颗粒的发生，认识到重要的是如何稳定地产生等离子体并进行研究，进而完成本发明。

本发明为了解决上述以往技术的问题而进行，其目的在于提供可稳定地产生等离子体、抑制颗粒发生的基板处理装置的运行方法。

用于解决技术问题的方法

为了解决上述技术问题，本发明为一种基板处理装置的运行方法，其为具有真空槽、对所述真空槽内进行真空排气的真空排气部、向所述真空槽内供给气体的气体供给部、对等离子体生成装置施加电压以产生所述真空槽内的气体的等离子体的等离子体生成部，使等离子体与配置于所述真空槽内的基板接触而对所述基板进行处理的基板处理装置的运行方法，其具有以下工序：向所述真空槽内供给稀有气体、对所述等离子体生成装置施加电压以产生所述稀有气体的等离子体的等离子体点火工序；向所述真空槽内供给反应气体、使所述反应气体与所述稀有气体的等离子体接触以产生所述反应气体的等离子体，使所述反应气体的等离子体与基板接触而对所述基板进行处理的等离子体处理工序。

本发明为一种基板处理装置的运行方法，其中所述等离子体点火工序中的等离子体生成时的所述真空槽内的压力高于所述等离子体处理工序中的基板处理开始时的所述真空槽内的压力。

本发明为一种基板处理装置的运行方法，其中所述等离子体点火工序中的等离子体生成时所述稀有气体向所述真空槽内的供给流量大于所述等离子体处理工序中的基板处理开始时所述稀有气体向所述真空槽内的供给流量。

本发明为一种基板处理装置的运行方法，其中所述稀有气体含有选自由He、Ne、Ar、Kr和Xe构成的组中的任1种气体。

本发明为一种基板处理装置的运行方法，其中所述等离子体处理工序中使所述反应气体的等离子体与所述基板接触而对所述基板进行蚀刻。

本发明为一种基板处理装置的运行方法，其中所述基板具有由导电性材料构成的电极膜和由铁电体构成的铁电体膜，所述等离子体处理工序中使所述反应气体的等离子体与所述基板接触而对所述电极膜或所述铁电体膜的任一者或两者进行蚀刻。

本发明为一种基板处理装置的运行方法，其中所述电极膜含有选自由Pt、Ir、IrO₂和SrRuO₃构成的导电性材料的组中的至少1种导电性材料。

本发明为一种基板处理装置的运行方法，其中所述铁电体膜含有选自由钛酸钡（BaTiO₃）、钛酸铅（PbTiO₃）、钛酸铋镧（（Bi，La）₄Ti₃O₁₂：BLT）、钛锆酸铅（Pb（Zr，Ti）O₃：PZT）、钛锆酸镧铅（（PbLa）（ZrTi）O₃：PLZT）和钛酸铋锶（SrBi₂Ta₂O₃：SBT）构成的组中的任1种铁电体。

本发明为一种基板处理装置的运行方法，其中所述反应气体含有在化学结构中含有选自由氟、氯、溴和碘构成的组中的任1种卤素元素的气体。

本发明为一种基板处理装置的运行方法，其中所述等离子体处理工序中的所述基板处理中将所述基板加热或冷却至250℃以上的温度。

发明效果

由于刚生成后的等离子体稳定、所发生的颗粒的量减少，因而产品的合格率提高。

附图说明

[图1]用于说明蚀刻装置结构的图。